2019年領(lǐng)軍高考化學(xué) 清除易錯(cuò)點(diǎn) 專題26 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)知識點(diǎn)講解.doc

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易錯(cuò)點(diǎn)26 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)瞄準(zhǔn)高考1（2018課標(biāo)）Li是最輕的固體金屬，采用Li作為負(fù)極材料的電池具有小而輕、能量密度大等優(yōu)良性能，得到廣泛應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：（1）下列Li原子電子排布圖表示的狀態(tài)中，能量最低和最高的分別為_、_（填標(biāo)號）。A BC D（2）Li+與H具有相同的電子構(gòu)型，r(Li+)小于r(H)，原因是_。（3）LiAlH4是有機(jī)合成中常用的還原劑，LiAlH4中的陰離子空間構(gòu)型是_、中心原子的雜化形式為_。LiAlH4中，存在_（填標(biāo)號）。A離子鍵 B鍵 C鍵 D氫鍵（4）Li2O是離子晶體，其晶格能可通過圖(a)的BornHaber循環(huán)計(jì)算得到。可知，Li原子的第一電離能為_kJmol1，O=O鍵鍵能為_kJmol1，Li2O晶格能為_kJmol1。（5）Li2O具有反螢石結(jié)構(gòu)，晶胞如圖(b)所示。已知晶胞參數(shù)為0.4665 nm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則Li2O的密度為_gcm3（列出計(jì)算式）?！敬鸢浮緿 C Li+核電荷數(shù)較大 正四面體 sp3 AB 520 498 2908 【解析】（1）根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知Li的基態(tài)核外電子排布式為1s22s1，則D中能量最低；選項(xiàng)C中有2個(gè)電子處于2p能級上，能量最高；（2）由于鋰的核電荷數(shù)較大，原子核對最外層電子的吸引力較大，因此Li半徑小于H；2（2018課標(biāo)）硫及其化合物有許多用途，相關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)如下表所示：H2SS8FeS2SO2SO3H2SO4熔點(diǎn)/85.5115.2600（分解）75.516.810.3沸點(diǎn)/60.3444.610.045.0337.0回答下列問題：（1）基態(tài)Fe原子價(jià)層電子的電子排布圖（軌道表達(dá)式）為_，基態(tài)S原子電子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖為_形。（2）根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論，H2S、SO2、SO3的氣態(tài)分子中，中心原子價(jià)層電子對數(shù)不同于其他分子的是_。（3）圖（a）為S8的結(jié)構(gòu)，其熔點(diǎn)和沸點(diǎn)要比二氧化硫的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高很多，主要原因?yàn)開。（4）氣態(tài)三氧化硫以單分子形式存在，其分子的立體構(gòu)型為_形，其中共價(jià)鍵的類型有_種；固體三氧化硫中存在如圖（b）所示的三聚分子，該分子中S原子的雜化軌道類型為_。（5）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為_gcm3；晶胞中Fe2+位于所形成的正八面體的體心，該正八面體的邊長為_nm。【答案】 啞鈴（紡錘） H2S S8相對分子質(zhì)量大，分子間范德華力強(qiáng) 平面三角 2 sp3 3（2018課標(biāo)）鋅在工業(yè)中有重要作用，也是人體必需的微量元素?；卮鹣铝袉栴}：（1）Zn原子核外電子排布式為_。（2）黃銅是人類最早使用的合金之一，主要由Zn和Cu組成。第一電離能1（Zn）_1（Cu)(填“大于”或“小于”)。原因是_。（3）ZnF2具有較高的熔點(diǎn)（872 )，其化學(xué)鍵類型是_；ZnF2不溶于有機(jī)溶劑而ZnCl2、ZnBr2、ZnI2能夠溶于乙醇、乙醚等有機(jī)溶劑，原因是_。（4）中華本草等中醫(yī)典籍中，記載了爐甘石（ZnCO3）入藥，可用于治療皮膚炎癥或表面創(chuàng)傷。ZnCO3中，陰離子空間構(gòu)型為_，C原子的雜化形式為_。（5）金屬Zn晶體中的原子堆積方式如圖所示，這種堆積方式稱為_。六棱柱底邊邊長為a cm，高為c cm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，Zn的密度為_gcm3（列出計(jì)算式）。【答案】 Ar3d104s2 大于 Zn核外電子排布為全滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，較難失電子 離子鍵 ZnF2為離子化合物，ZnCl2、ZnBr2、ZnI2的化學(xué)鍵以共價(jià)鍵為主、極性較小 平面三角形 sp2 六方最密堆積（A3型） 為6 cm3。所以密度為：gcm-3。4（2017課標(biāo)）鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。回答下列問題：（1）元素K的焰色反應(yīng)呈紫紅色，其中紫色對應(yīng)的輻射波長為_nm（填標(biāo)號）。A404.4B553.5 C589.2D670.8 E.766.5（2）基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號是_，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為_。K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低，原因是_。（3）X射線衍射測定等發(fā)現(xiàn)，I3AsF6中存在I3+離子。I3+離子的幾何構(gòu)型為_，中心原子的雜化形式為_。（4）KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型的立體結(jié)構(gòu)，邊長為a=0.446nm，晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置，如圖所示。K與O間的最短距離為_nm，與K緊鄰的O個(gè)數(shù)為_。（5）在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中，I處于各頂角位置，則K處于_位置，O處于_位置?！緟⒖即鸢浮浚?）A （2）N 球形 K的原子半徑較大且價(jià)電子數(shù)較少，金屬鍵較弱（3）V形 sp3 （4）0.315 12 （5）體心 棱心5（2017課標(biāo)）我國科學(xué)家最近成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl（用R代表）?；卮鹣铝袉栴}：（1）氮原子價(jià)層電子對的軌道表達(dá)式（電子排布圖）為_。（2）元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個(gè)電子形成氣態(tài)負(fù)一價(jià)離子時(shí)所放出的能量稱作第一電子親和能（E1）。第二周期部分元素的E1變化趨勢如圖（a）所示，其中除氮元素外，其他元素的E1自左而右依次增大的原因是_；氮元素的E1呈現(xiàn)異常的原因是_。（3）經(jīng)X射線衍射測得化合物R的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖（b）所示。從結(jié)構(gòu)角度分析，R中兩種陽離子的相同之處為_，不同之處為_。（填標(biāo)號）A中心原子的雜化軌道類型B中心原子的價(jià)層電子對數(shù)C立體結(jié)構(gòu)D共價(jià)鍵類型R中陰離子N5-中的鍵總數(shù)為_個(gè)。分子中的大鍵可用符號表示，其中m代表參與形成的大鍵原子數(shù)，n代表參與形成的大鍵電子數(shù)（如苯分子中的大鍵可表示為），則N5-中的大鍵應(yīng)表示為_。 圖（b）中虛線代表氫鍵，其表示式為（NH4+）N-HCl、_、_。（4）R的晶體密度為d gcm-3，其立方晶胞參數(shù)為a nm，晶胞中含有y個(gè)(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl單元，該單元的相對質(zhì)量為M，則y的計(jì)算表達(dá)式為_?！緟⒖即鸢浮浚?）（2）同周期隨著核電荷數(shù)依次增大，原子半徑逐漸變小，故結(jié)合一個(gè)電子釋放出的能量依次增大 N的2p能級處于半充滿狀態(tài)，相對穩(wěn)定，不易結(jié)合一個(gè)電子（3）ABD； C 5NA （H3O+）OHN （NH4+）NHN（4） 6（2017課標(biāo)）研究發(fā)現(xiàn)，在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)（CO2+3H2=CH3OH+H2O）中，Co氧化物負(fù)載的Mn氧化物納米粒子催化劑具有高活性，顯示出良好的應(yīng)用前景?；卮鹣铝袉栴}：（1）Co基態(tài)原子核外電子排布式為_。元素Mn與O中，第一電離能較大的是_，基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)較多的是_。（2）CO2和CH3OH分子中C原子的雜化形式分別為_和_。（3）在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)所涉及的4種物質(zhì)中，沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)開，原因是_。（4）硝酸錳是制備上述反應(yīng)催化劑的原料，Mn(NO3)2中的化學(xué)鍵除了鍵外，還存在_。（5）MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)（如圖），其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實(shí)驗(yàn)測得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420nm，則r(O2-)為_nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為a =0.448 nm，則r(Mn2+)為_nm?！敬鸢浮浚?）1s22s22p63s23p63d74s2或Ar3d74s2 O Mn（2）sp sp3（3）H2OCH3OHCO2H2，H2O與CH3OH均為非極性分子，H2O中氫鍵比甲醇多，CO2分子量較大，范德華力較大（4）鍵、離子鍵 （5）0.148 0.076鎖定考點(diǎn)一、原子結(jié)構(gòu) 1. 能層與能級由必修的知識，我們已經(jīng)知道多電子原子的核外電子的能量是不同的，由內(nèi)而外可以分為： 第一、二、三、四、五、六、七能層符號表示 K、 L、 M、 N、 O、 P、 Q 能量由低到高例如：鈉原子有11個(gè)電子，分布在三個(gè)不同的能層上，第一層2個(gè)電子，第二層8個(gè)電子，第三層1個(gè)電子。由于原子中的電子是處在原子核的引力場中，電子總是盡可能先從內(nèi)層排起，當(dāng)一層充滿后再填充下一層。理論研究證明，原子核外每一層所能容納的最多電子數(shù)如下：能 層 一 二 三 四 五 六 七符 號 K L M N O P Q最多電子數(shù) 2 8 18 32 50即每層所容納的最多電子數(shù)是：2n2(n：能層的序數(shù)) 但是同一個(gè)能層的電子，能量也可能不同，還可以把它們分成能級(S、P、d、F)，就好比能層是樓層，能級是樓梯的階級。各能層上的能級是不一樣的。能級的符號和所能容納的最多電子數(shù)如下：能 層 K L M N O 能 級 1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p 4d 4f 最多電子數(shù) 2 2 6 2 6 10 2 6 10 14 各能層電子數(shù) 2 8 18 32 50 （1） 每個(gè)能層中，能級符號的順序是ns、np、nd、nf（2） 任一能層，能級數(shù)=能層序數(shù)（3） s、p、d、f可容納的電子數(shù)依次是1、3、5、7的兩倍 各能層所包含的能級類型及各能層、能級最多容納的電子數(shù)見下表：2. 構(gòu)造原理根據(jù)構(gòu)造原理，只要我們知道原子序數(shù)，就可以寫出幾乎所有元素原子的電子排布。即電子所排的能級順序：1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d 4p 5s 4d 5p 6s 4f 5d 6p 7s電子填充的先后順序（構(gòu)造原理）為：1s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f5d6p7s5f6d7pns (n2)f (n1)d np構(gòu)造原理揭示了原子核外電子的能級分布。不同能層的能級有交錯(cuò)現(xiàn)象，如E(3d)E(4s)、E(4d)E(5s)、E(5d)E(6s)、E(6d)E(7s)、E(4f)E(5p)等。構(gòu)造原理是書寫基態(tài)原子電子排布式的依據(jù)，也是繪制基態(tài)原子電子排布圖（即軌道表示式）的主要依據(jù)之一。如：Na：1s22s22p63s1，能級符號上面數(shù)字是該能級上的電子數(shù)。元素原子的電子排布：（136號）氫 H 1s1 鈉 Na 1s22s22p63s1 鉀 K 1s22s22p63s23p64s1 【Ar】4s1 有少數(shù)元素的基態(tài)原子的電子排布對于構(gòu)造原理有一個(gè)電子的偏差，如：鉻 24Cr Ar3d54s1 銅 29Cu Ar3d104s1例如：寫出17Cl（氯）、21Sc(鈧)、35Br（溴）的電子排布氯：1s22s22p63s23p5鈧：1s22s22p63s23p63d14s2溴：1s22s22p63s23p63d104s24p53.電子云和原子軌道： (1) 電子運(yùn)動的特點(diǎn)：質(zhì)量極小 運(yùn)動空間極小 極高速運(yùn)動。因此，電子運(yùn)動來能用牛頓運(yùn)動定律來描述，只能用統(tǒng)計(jì)的觀點(diǎn)來描述。我們不可能像描述宏觀運(yùn)動物體那樣，確定一定狀態(tài)的核外電子在某個(gè)時(shí)刻處于原子核外空間如何，而只能確定它在原子核外各處出現(xiàn)的概率。概率分布圖看起來像一片云霧，因而被形象地稱作電子云。常把電子出現(xiàn)的概率約為90%的空間圈出來，人們把這種電子云輪廓圖成為原子軌道。S的原子軌道是球形的，能層序數(shù)越大，原子軌道的半徑越大。 P的原子軌道是紡錘形的，每個(gè)P能級有3個(gè)軌道，它們互相垂直，分別以Px、Py、Pz為符號。P原子軌道的平均半徑也隨能層序數(shù)增大而增大。 s電子的原子軌道都是球形的(原子核位于球心)，能層序數(shù)，2越大，原子軌道的半徑越大。這是由于1s，2s，3s電子的能量依次增高，電子在離核更遠(yuǎn)的區(qū)域出現(xiàn)的概率逐漸增大，電子云越來越向更大的空間擴(kuò)展。這是不難理解的，打個(gè)比喻，神州五號必須依靠推動(提供能量)才能克服地球引力上天，2s電子比1s電子能量高，克服原子核的吸引在離核更遠(yuǎn)的空間出現(xiàn)的概率就比1s大，因而2s電子云必然比1s電子云更擴(kuò)散。(2) 重點(diǎn)難點(diǎn)泡利原理和洪特規(guī)則量子力學(xué)告訴我們：ns能級各有一個(gè)軌道，np能級各有3個(gè)軌道，nd能級各有5個(gè)軌道，nf能級各有7個(gè)軌道.而每個(gè)軌道里最多能容納2個(gè)電子，通常稱為電子對，用方向相反的箭頭“”來表示。 一個(gè)原子軌道里最多只能容納2個(gè)電子，而且自旋方向相反，這個(gè)原理成為泡利原理。推理各電子層的軌道數(shù)和容納的電子數(shù)。當(dāng)電子排布在同一能級的不同軌道時(shí)，總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，而且自旋方向相同，這個(gè)規(guī)則是洪特規(guī)則。洪特規(guī)則的特例：對于同一個(gè)能級，當(dāng)電子排布為全充滿、半充滿或全空時(shí)，是比較穩(wěn)定的。 特例： 24Cr 1s22s22p63s23p63d54s1 29Cu 1s22s22p63s23p63d104s1 3d 3d 半充滿 全充滿軌道表示式：用“”表示軌道，用“”或“”表示容納的電子。 1s 1s如：1H 2He 1s 2s 1s 2s 2p 3Li 6C注意：ns能級各有1個(gè)軌道，np能級各有3個(gè)軌道，nd能級各有5個(gè)軌道，nf能級各有7個(gè)軌道。而每個(gè)軌道里最多能容納2個(gè)電子，通常稱為電子對，用方向相反的箭頭“”來表示?！啊?“”表示自選方向相反。4. 基態(tài)、激發(fā)態(tài)、光譜 1基態(tài)：最低能量狀態(tài)。如處于最低能量狀態(tài)的原子稱為基態(tài)原子。 2激發(fā)態(tài)：較高能量狀態(tài)（相對基態(tài)而言）。如基態(tài)原子的電子吸收能量后，電子躍遷至較高能級成為激發(fā)態(tài)原子。 3光譜：不同元素的原子發(fā)生躍遷時(shí)會吸收（基態(tài)激發(fā)態(tài)）和放出（基態(tài)激發(fā)態(tài)）能量，產(chǎn)生不同的光譜原子光譜（吸收光譜和發(fā)射光譜）。利用光譜分析可以發(fā)現(xiàn)新元素或利用特征譜線鑒定元素。小結(jié)：原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)，簡稱能量最低原理。處于最低能量的原子叫做基態(tài)原子。當(dāng)基態(tài)原子的電子吸收能量后，電子會躍遷到較高能級，變成激發(fā)態(tài)原子。電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，將釋放能量。光（輻射）是電子釋放能量的重要形式之一。 不同元素的原子發(fā)生躍遷時(shí)會吸收或釋放不同的光，可以用光譜儀攝取各種元素的電子的吸收光譜或發(fā)射光譜，總稱原子光譜。許多元素是通過原子光譜發(fā)現(xiàn)的。在現(xiàn)代化學(xué)中，常利用原子光譜上的特征譜線來鑒定元素，稱為光譜分析。二、分子結(jié)構(gòu)1. 共價(jià)鍵.共價(jià)鍵的本質(zhì)及特征 共價(jià)鍵的本質(zhì)是在原子之間形成共用電子對，其特征是具有飽和性和方向性。.共價(jià)鍵的類型按成鍵原子間共用電子對的數(shù)目分為單鍵、雙鍵、三鍵。按共用電子對是否偏移分為極性鍵、非極性鍵。按原子軌道的重疊方式分為鍵和鍵，前者的電子云具有軸對稱性，后者的電子云具有鏡像對稱性。說 明：兩原子間形成的共價(jià)鍵中，共價(jià)單鍵為鍵，共價(jià)雙鍵中有一個(gè)鍵和一個(gè)鍵，共價(jià)三鍵中有一個(gè)鍵和二個(gè)鍵。并不是所有的分子中都含有共價(jià)鍵，如單原子的稀有氣體分子中無共價(jià)鍵。.鍵參數(shù)鍵能：氣態(tài)基態(tài)原子形成1 mol化學(xué)鍵釋放的最低能量，鍵能越大，化學(xué)鍵越穩(wěn)定。鍵長：形成共價(jià)鍵的兩個(gè)原子之間的核間距，鍵長越短，共價(jià)鍵越穩(wěn)定。鍵角：在原子數(shù)超過2的分子中，兩個(gè)共價(jià)鍵之間的夾角。鍵參數(shù)對分子性質(zhì)的影響鍵長越短，鍵能越大，分子越穩(wěn)定.等電子原理原子總數(shù)相同、價(jià)電子總數(shù)相同的分子具有相似的化學(xué)鍵特征，它們的許多性質(zhì)相近。應(yīng)用：判斷微粒成鍵方式、空間構(gòu)型；推測性質(zhì)。如CO與N2 。常見等電子體的空間構(gòu)型等電子體類型常見等電子體空間構(gòu)型2原子10電子(價(jià)電子，下同)CO ，N2，CN-，NO+，直線形2原子14電子F2，Cl2直線形3原子8電子H2O，H2S，NV形3原子16電子CO2，N2O，CNO-，N，SCN-，HgCl2，BeCl2(g)直線形3原子18電子O3，SO2，NV形4原子8電子NH3，PH3，C，H3O+三角錐形4原子24電子SO3(g)，C，N，B，BF3平面三角形4原子26電子S，Cl，Br，I，XeO3三角錐形5原子8電子CH4，SiH4，N，P，B正四面體形5原子32電子CCl4，SiF4，Si，S，Cl，P正四面體形12原子30電子C6H6，N3B3H6(俗稱無機(jī)苯)平面六邊形7原子48電子Al，Si，P，SF6八面體形2. 分子的立體構(gòu)型價(jià)層電子對互斥理論價(jià)電子：原子在參與化學(xué)反應(yīng)時(shí)能夠用于成鍵的電子，是原子核外跟元素化合價(jià)有關(guān)的電子。在主族元素中，價(jià)電子數(shù)就是最外層電子數(shù)。價(jià)層：就是顯現(xiàn)化合價(jià)的電子層，通常指原子的最外層電子層。價(jià)層電子對：指的是形成鍵的電子對和孤對電子。孤對電子的存在，增加了電子對間的排斥力，影響了分子中的鍵角，會改變分子構(gòu)型的基本類型。價(jià)層電子對互斥理論基本觀點(diǎn)：分子中的價(jià)層電子對-成鍵電子對(即鍵）和孤對電子由于相互排斥作用，盡可能趨向彼此遠(yuǎn)離以減小排斥力而采取對稱的空間結(jié)構(gòu)。一般電子對間的排斥大小：孤電子對間的排斥（孤-孤排斥）孤對電子和成鍵電子對間的排斥（孤-成排斥）成鍵電子對間的排斥（成-成排斥）說明：價(jià)層電子對互斥理論：主要是用來分析主族元素形成的分子或離子的結(jié)構(gòu)的，不用來分析以過渡元素為中心的化合物。（2）根據(jù)價(jià)層電子對互斥模型判斷分子的構(gòu)型、價(jià)層電子對互斥模型說明的是價(jià)層電子對（含孤電子對）的空間構(gòu)型，而分子的空間構(gòu)型指的是成鍵電子對空間構(gòu)型，不包括孤電子對。當(dāng)中心原子無孤電子對時(shí)，兩者的構(gòu)型一致； 當(dāng)中心原子有孤電子對時(shí)，兩者的構(gòu)型不一致。、對ABm型分子或離子，其價(jià)層電子對數(shù)(亦即為雜化軌道數(shù))的判斷方法為：規(guī)定：作為配位原子，鹵素F、Cl、Br、I和H：價(jià)電子1個(gè)，氧族：O、S：0個(gè)；但作為中心原子，鹵素原子按7個(gè)價(jià)電子計(jì)算，氧族元素的原子按6個(gè)價(jià)電子計(jì)算；對于復(fù)雜離子，應(yīng)加或減離子的電荷數(shù)；例如PO43-應(yīng)加上3個(gè)價(jià)電子。計(jì)算電子對數(shù)時(shí)，若剩余1個(gè)電子，亦當(dāng)作1對電子處理。、分子空間構(gòu)型價(jià)層電子對數(shù)雜化類型價(jià)電子對排布或VSEPR模型及雜化軌道夾角成鍵電子對數(shù)(即鍵）孤對電子對數(shù)電子對空間構(gòu)型分子空間構(gòu)型 實(shí)例 2sp直線形20 直線形CO2/BeCl23sp2三角形3 0 平面三角形CO32-/SO3/BF3/ BCl3/CH2O2 1 V形 O3/SO2/PbCl2/SnBr24四面體4 0 四面體形CCl4/SO42-/NH4+/CH4sp33 1 三角錐形H3O+/NF3/NH32 2 V形 H2O/H2S/SCl25sp3d三角雙錐（了解）50三角雙錐PCl541變形四面體SF432T形ClF323直線形I3- 分子構(gòu)型與雜化軌道理論雜化軌道的要點(diǎn)當(dāng)原子成鍵時(shí)，原子的價(jià)電子軌道相互混雜，形成與原軌道數(shù)相等且能量相同的雜化軌道。雜化軌道數(shù)不同，軌道間的夾角不同，形成分子的空間形狀不同。 分子構(gòu)型與價(jià)層電子對互斥模型價(jià)層電子對互斥模型說明的是價(jià)層電子對的空間構(gòu)型，而分子的空間構(gòu)型指的是成鍵電子對空間構(gòu)型，不包括孤對電子。當(dāng)中心原子無孤對電子時(shí)，兩者的構(gòu)型一致；當(dāng)中心原子有孤對電子時(shí)，兩者的構(gòu)型不一致。配位化合物配位鍵與極性鍵、非極性鍵的比較配位化合物a定義：金屬離子(或原子)與某些分子或離子(稱為配體)以配位鍵結(jié)合形成的化合物。b組成：如Ag(NH3)2OH，中心離子為Ag，配體為NH3，配位數(shù)為2。3. 分子的性質(zhì)分子間作用力的比較分子的極性(1) 極性分子：正電中心和負(fù)電中心不重合的分子。(2) 非極性分子：正電中心和負(fù)電中心重合的分子。 溶解性“相似相溶”規(guī)律：非極性溶質(zhì)一般能溶于非極性溶劑，極性溶質(zhì)一般能溶于極性溶劑若存在氫鍵，則溶劑和溶質(zhì)之間的氫鍵作用力越大，溶解性越好?！跋嗨葡嗳堋边€適用于分子結(jié)構(gòu)的相似性，如乙醇和水互溶，而戊醇在水中的溶解度明顯減小 手性具有完全相同的組成和原子排列的一對分子，如左手和右手一樣互為鏡像，在三維空間里不能重疊的現(xiàn)象。 無機(jī)含氧酸分子的酸性無機(jī)含氧酸可寫成(HO)mROn，如果成酸元素R相同，則n值越大，R的正電性越高，使ROH中O的電子向R偏移，在水分子的作用下越易電離出H，酸性越強(qiáng)，如HClOHClO2HClO3HClO4。三、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1晶體與非晶體晶體非晶體結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)微粒周期性有序排列結(jié)構(gòu)微粒無序排列性質(zhì)特征自范性有無熔點(diǎn)固定不固定異同表現(xiàn)各向異性各向同性二者區(qū)別方法間接方法看是否有固定的熔點(diǎn)科學(xué)方法對固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)2.得到晶體的途徑(1)熔融態(tài)物質(zhì)凝固。(2)氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華)。(3)溶質(zhì)從溶液中析出。3晶胞(1)概念：描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。(2)晶體中晶胞的排列無隙并置無隙：相鄰晶胞之間沒有任何間隙。并置：所有晶胞平行排列、取向相同。4晶格能(1)定義：氣態(tài)離子形成1摩離子晶體釋放的能量，通常取正值，單位：kJmol1。(2)影響因素離子所帶電荷數(shù)：離子所帶電荷數(shù)越多，晶格能越大。離子的半徑：離子的半徑越小，晶格能越大。(3)與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定，且熔點(diǎn)越高，硬度越大?！旧疃人伎肌烤О?jì)算的思維方法(1)晶胞計(jì)算是晶體考查的重要知識點(diǎn)之一，也是考查學(xué)生分析問題、解決問題能力的較好素材。晶體結(jié)構(gòu)的計(jì)算常常涉及如下數(shù)據(jù)：晶體密度、NA、M、晶體體積、微粒間距離、微粒半徑、夾角等，密度的表達(dá)式往往是列等式的依據(jù)。解決這類題，一是要掌握晶體“均攤法”的原理，二是要有扎實(shí)的立體幾何知識，三是要熟悉常見晶體的結(jié)構(gòu)特征，并能融會貫通，舉一反三。(2)“均攤法”原理特別提醒在使用均攤法計(jì)算晶胞中微粒個(gè)數(shù)時(shí)，要注意晶胞的形狀，不同形狀的晶胞，應(yīng)先分析任意位置上的一個(gè)粒子被幾個(gè)晶胞所共有，如六棱柱晶胞中，頂點(diǎn)、側(cè)棱、底面上的棱、面心依次被6、3、4、2個(gè)晶胞所共有。(3)晶體微粒與M、之間的關(guān)系若1個(gè)晶胞中含有x個(gè)微粒，則1 mol晶胞中含有x mol微粒，其質(zhì)量為xM g(M為微粒的相對“分子”質(zhì)量)；又1個(gè)晶胞的質(zhì)量為a3 g(a3為晶胞的體積)，則1 mol晶胞的質(zhì)量為a3NA g，因此有xMa3NA。四種晶體性質(zhì)比較 類型比較分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成粒子分子原子金屬陽離子、自由電子陰、陽離子粒子間的相互作用力分子間作用力共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵硬度較小很大有的很大，有的很小較大熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高，有的很低較高溶解性相似相溶難溶于任何溶劑常見溶劑難溶大多數(shù)易溶于水等極性溶劑導(dǎo)電、傳熱性一般不導(dǎo)電，溶于水后有的導(dǎo)電一般不具有導(dǎo)電性，個(gè)別為半導(dǎo)體電和熱的良導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電，水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電物質(zhì)類別及舉例所有非金屬氫化物(如水、硫化氫)、部分非金屬單質(zhì)(如鹵素X2)、部分非金屬氧化物(如CO2、SO2)、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(有機(jī)鹽除外)部分非金屬單質(zhì)(如金剛石、硅、晶體硼)，部分非金屬化合物(如SiC、SiO2)金屬單質(zhì)與合金(如Na、Al、Fe、青銅)金屬氧化物(如K2O、Na2O)、強(qiáng)堿(如KOH、NaOH)、絕大部分鹽(如NaCl)晶體類型的判斷方法1依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間的作用判斷(1)離子晶體的構(gòu)成微粒是陰、陽離子，微粒間的作用是離子鍵。(2)原子晶體的構(gòu)成微粒是原子，微粒間的作用是共價(jià)鍵。(3)分子晶體的構(gòu)成微粒是分子，微粒間的作用為分子間作用力。(4)金屬晶體的構(gòu)成微粒是金屬陽離子和自由電子，微粒間的作用是金屬鍵。2依據(jù)物質(zhì)的分類判斷(1)金屬氧化物(如K2O)、強(qiáng)堿(如NaOH)和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體。(2)大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅等)、非金屬氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(除有機(jī)鹽外)是分子晶體。(3)常見的單質(zhì)類原子晶體有金剛石、晶體硅、晶體硼等，常見的化合類原子晶體有碳化硅、二氧化硅等。(4)金屬單質(zhì)是金屬晶體。3依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷(1)離子晶體的熔點(diǎn)較高。(2)原子晶體熔點(diǎn)高。(3)分子晶體熔點(diǎn)低。(4)金屬晶體多數(shù)熔點(diǎn)高，但也有相當(dāng)?shù)偷摹?依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷離子晶體硬度較大或硬而脆。原子晶體硬度大。分子晶體硬度小且較脆。金屬晶體多數(shù)硬度大，但也有較低的，且具有延展性。注意(1)常溫下為氣態(tài)或液態(tài)的物質(zhì)，其晶體應(yīng)屬于分子晶體(Hg除外)。(2)石墨屬于混合型晶體，但因?qū)觾?nèi)原子之間碳碳共價(jià)鍵的鍵長為1.421010 m，比金剛石中碳碳共價(jià)鍵的鍵長(鍵長為1.541010 m)短，所以熔、沸點(diǎn)高于金剛石。(3)AlCl3晶體中雖含有金屬元素，但屬于分子晶體，熔、沸點(diǎn)低(熔點(diǎn)190 )。(4)合金的硬度比成分金屬大，熔、沸點(diǎn)比成分金屬低。比較晶體的熔、沸點(diǎn)1不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低一般規(guī)律原子晶體離子晶體分子晶體。金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等沸點(diǎn)很高，如汞、鎵、銫等沸點(diǎn)很低，金屬晶體一般不參與比較。2原子晶體由共價(jià)鍵形成的原子晶體中，原子半徑小的鍵長短，鍵能大，晶體的熔、沸點(diǎn)高。如熔點(diǎn)：金剛石石英碳化硅硅。3離子晶體一般地說，陰、陽離子所帶電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子間的作用就越強(qiáng)，其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高，如熔點(diǎn)：MgOMgCl2NaClCsCl。4分子晶體(1)分子間作用力越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高；具有氫鍵的分子晶體，熔、沸點(diǎn)反常的高。如H2OH2TeH2SeH2S。(2)組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，如SnH4GeH4SiH4CH4，F(xiàn)2Cl2Br2N2，CH3OHCH3CH3。(4)同分異構(gòu)體，支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。例如：CH3CH2CH2CH2CH3。(5)同分異構(gòu)體的芳香烴，其熔、沸點(diǎn)高低順序是鄰間對位化合物。5金屬晶體金屬離子半徑越小，離子所帶電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬熔、沸點(diǎn)就越高，如熔、沸點(diǎn)：NaMgNaKRbCs。特別提醒(1)金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔點(diǎn)很高，如汞、鎵、銫等熔點(diǎn)很低。(2)金屬晶體的熔點(diǎn)不一定比分子晶體的熔點(diǎn)高，如金屬晶體Na晶體的熔點(diǎn)(98 )小于分子晶體AlCl3晶體的熔點(diǎn)(190 )。(3)并非存在氫鍵的分子晶體的熔、沸點(diǎn)就高，分子內(nèi)形成氫鍵，一般會使分子晶體的熔、沸點(diǎn)降低。例如鄰羥基苯甲醛()由于形成分子內(nèi)氫鍵，比對羥基苯甲醛()的熔、沸點(diǎn)低。幾種常見的晶體模型1原子晶體(金剛石和二氧化硅)(1)金剛石晶體中，每個(gè)C與另外4個(gè)C形成共價(jià)鍵，CC 鍵之間的夾角是10928，最小的環(huán)是六元環(huán)。含有1 mol C的金剛石中，形成的共價(jià)鍵有2 mol。(2)SiO2晶體中，每個(gè)Si原子與4個(gè)O成鍵，每個(gè)O原子與2個(gè)硅原子成鍵，最小的環(huán)是十二元環(huán)，在“硅氧”四面體中，處于中心的是Si原子。2分子晶體(1)干冰晶體中，每個(gè)CO2分子周圍等距且緊鄰的CO2分子有12個(gè)。(2)冰的結(jié)構(gòu)模型中，每個(gè)水分子與相鄰的4個(gè)水分子以氫鍵相連接，含1 mol H2O的冰中，最多可形成2 mol“氫鍵”。3離子晶體(1)NaCl型：在晶體中，每個(gè)Na同時(shí)吸引6個(gè)Cl，每個(gè)Cl同時(shí)吸引6個(gè)Na，配位數(shù)為6。每個(gè)晶胞含4個(gè)Na和4個(gè)Cl。(2)CsCl型：在晶體中，每個(gè)Cl吸引8個(gè)Cs，每個(gè)Cs吸引8個(gè)Cl，配位數(shù)為8。4石墨晶體石墨層狀晶體中，層與層之間的作用是分子間作用力，平均每個(gè)正六邊形擁有的碳原子個(gè)數(shù)是2，C原子采取的雜化方式是sp2。5常見金屬晶體的原子堆積模型結(jié)構(gòu)型式常見金屬配位數(shù)晶胞面心立方最密堆積A1Cu、Ag、Au12體心立方堆積A2Na、K、Fe8六方最密堆積A3Mg、Zn、Ti12特別提醒(1)判斷某種微粒周圍等距且緊鄰的微粒數(shù)目時(shí)，要注意運(yùn)用三維想象法。如NaCl晶體中，Na周圍的Na數(shù)目(Na用“”表示)：每個(gè)面上有4個(gè)，共計(jì)12個(gè)。(2)?？嫉膸追N晶體主要有干冰、冰、金剛石、SiO2、石墨、CsCl、NaCl、K、Cu等，要熟悉以上代表物的空間結(jié)構(gòu)。當(dāng)題中信息給出與某種晶體空間結(jié)構(gòu)相同時(shí)，可以直接套用某種結(jié)構(gòu)。大題沖關(guān)1已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它們的原子序數(shù)依次增大。其中A元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1。C是電負(fù)性最大的元素。D原子次外層電子數(shù)是最外層電子數(shù)2倍，E是第族中原子序數(shù)最小的元素。（1）寫出基態(tài)C原子的電子排布式_。（2）A、B、C三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(用元素符號表示)，原因是_。（3）已知DC4常溫下為氣體，則該物質(zhì)的晶體類型是_，組成微粒的中心原子的軌道雜化類型為_，空間構(gòu)型是_。（4）Cu2容易與AH3形成配離子Cu(AH3)42，但AC3不易與Cu2形成配離子，其原因是_。（5）A、B兩元素分別與D形成的共價(jià)鍵中，極性較強(qiáng)的是_。A、B兩元素間能形成多種二元化合物，其中與A3互為等電子體的物質(zhì)的化學(xué)式為_。（6）已知E單質(zhì)的晶胞如圖所示，則晶體中E原子的配位數(shù)為_，一個(gè)E的晶胞質(zhì)量為_。【答案】1s22s22p5FNON 原子的2p 能級處于較穩(wěn)定的半充滿狀態(tài)分子晶體sp3正四面體形由于電負(fù)性FNH，在NF3 分子中，共用電子對偏向F 原子，使得N 原子上的孤電子對難與Cu2形成配位鍵Si-O 鍵N2O8112/NA g2X、Y、Z、J、Q五種短周期主族元素，原子序數(shù)依次增大。元素Z在地殼中含量最高，J元素的焰色反應(yīng)呈黃色，Q的最外層電子數(shù)與其電子總數(shù)之比為38，X能與J形成離子化合物，且J的半徑大于X的半徑，Y的氧化物是形成酸雨的主要物質(zhì)之一。請回答：(1)Q元素在周期表中的位置為_。(2)將這五種元素原子半徑從大到小排列，排在第三的元素原子是_(填元素符號)。(3)元素的非金屬性Z_Q(填“”或“C正四面體10928，H-S-S-HNa2S2O3 + H2SO4 = Na2SO4 + S + SO2+ H2O3a、b、c、d、e均為周期表前四周期元素，原子序數(shù)依次增大，相關(guān)信息如下表所示。a原子核外電子分別占3個(gè)不同能級，且每個(gè)能級上排布的電子數(shù)相同b基態(tài)原子的p軌道電子數(shù)比s軌道電子數(shù)少1c在周期表所列元素中電負(fù)性最大d位于周期表中第4縱行e基態(tài)原子M層全充滿，N層只有一個(gè)電子請回答：(1)d屬于_區(qū)的元素，其基態(tài)原子的價(jià)電子排布圖為_。(2)b與其同周期相鄰元素第一電離能由大到小的順序?yàn)開(用元素符號表示)。(3)c的氫化物水溶液中存在的氫鍵有_種，任意畫出一種_。(4)a與其相鄰?fù)髯逶氐淖罡邇r(jià)氧化物的熔點(diǎn)高低順序?yàn)開(用化學(xué)式表示)。若將a元素最高價(jià)氧化物水化物對應(yīng)的正鹽酸根離子表示為A，則A的空間構(gòu)型為_；A的中心原子的軌道雜化類型為_，與A互為等電子體的一種分子為_(填化學(xué)式)。(5)e與Au的合金可形成面心立方最密堆積的晶體，在晶胞中e原子處于面心，該晶體具有儲氫功能，氫原子可進(jìn)入到由e原子與Au原子構(gòu)成的四面體空隙中，儲氫后的晶胞結(jié)構(gòu)與金剛石晶胞結(jié)構(gòu)相似，該晶體儲氫后的化學(xué)式為_，若該晶體的相對分子質(zhì)量為M，密度為a gcm3，則晶胞的體積為_(用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)?！敬鸢浮縟NOC4FHF或FHO或OHF或OHOSiO2CO2平面三角形sp2SO3 或BF3H4Cu3Au4砷化鎵是繼硅之后研究最深入、應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料?；卮鹣铝袉栴}：(1)Ga 基態(tài)原子核外電子排布式為 _，As 基態(tài)原子核外有_個(gè)未成對電子。(2)Ga、As、Se 的第一電離能中大到小的順序是 _，Ga、As、Se 的電負(fù)性由大到小的順序是 _。(3)比較下列鎵的鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因：_。鎵的鹵化物GaCl3GaBr3GaI3熔點(diǎn)/77.75122.3211.5沸點(diǎn)/201.2279346GaF3 的熔點(diǎn)超過 1000 ，可能的原因是 _。(4)二水合草酸鎵的結(jié)構(gòu)如圖 1 所示，其中鎵原子的配位數(shù)為_，草酸根中碳原子的雜化軌道類型為 _。(5)砷化鎵的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖 2 所示，晶胞參數(shù)為 a=0.565nm，砷化鎵晶體的密度為_g/ cm3(設(shè) NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，列出計(jì)算式即可)?！敬鸢浮緼r3d104s24p1（或1s22s22p63s23p63d104s24p1）3AsSeGaSeAsGaGaCl3、GaBr3、GaI3均為分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強(qiáng)GaF3 是離子晶體4sp2（5）晶胞中Ga原子數(shù)目=8+6=4、As原子數(shù)目=4，晶胞質(zhì)量=4g，晶體密度4g（0.56510-7 cm）3=g/cm3，故答案為：。5自然界中存在大量的金屬元素，其中鈉、鎂、鋁、鐵、銅等在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用。（1）請寫出Fe的基態(tài)原子核外電子排布式_。（2）金屬A的原子只有3個(gè)電子層，其第一至第四電離能如下：電離能/(kJmol1)I1I2I3I4A932182115 39021 771則A原子的價(jià)電子排布式為_。（3）合成氨工業(yè)中，原料氣(N2、H2及少量CO、NH3的混合氣)在進(jìn)入合成塔前常用醋酸二氨合銅()溶液來吸收原料氣體中的CO(Ac代表CH3COO)，其反應(yīng)是：Cu(NH3)2AcCONH3Cu(NH3)3COAc醋酸羰基三氨合銅()H0。C、N、O三種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)開。配合物Cu(NH3)3COAc中心原子的配位數(shù)為_。在一定條件下NH3與CO2能合成尿素CO(NH2)2，尿素中C原子和N原子軌道的雜化類型分別為_；1 mol尿素分子中，鍵的數(shù)目為_。（4）NaCl和MgO都屬于離子化合物，NaCl的熔點(diǎn)為801.3 ，MgO的熔點(diǎn)高達(dá)2800 。造成兩種晶體熔點(diǎn)差距的主要原因是_。（5）(NH4)2SO4、NH4NO3等顆粒物及揚(yáng)塵等易引起霧霾。其中NH4+的空間構(gòu)型是_(用文字描述)，與NO互為等電子體的分子是_(填化學(xué)式)。（6）銅的化合物種類很多，如圖是氯化亞銅的晶胞結(jié)構(gòu)（黑色球表示Cu+，白色球表示Cl-），已知晶胞的棱長為a cm，則氯化亞銅密度的計(jì)算式為_gcm3(用NA表示阿伏加德羅常數(shù))?！敬鸢浮緼r3d64s23s2CON4sp2、sp37NAMgO晶體所含離子半徑小，電荷數(shù)多，晶格能大正四面體SO3或BF36含 鹵 族 元 素 的 化 合 物 在 科 研 和 生 產(chǎn) 中 有 許 多 重 要 用 途 。 如 ： 2 m o l S b ( C H 3 ) 3 、 2 m o lSb(CH3)2Br 和 2molSb(CH3)Br2 進(jìn)行重組反應(yīng)可生成空間位阻最小的離子化合物：Sb2(CH3)52 Sb2(CH3)2Br6，已知 Sb 與 N 同主族。請回答：（1） 中，H、C、Br 的電負(fù)性由小到大的順序?yàn)開，溴原子的價(jià)電子排布式 為_。（2）Sb2(CH3)5 +的結(jié)構(gòu)式為，Sb 原子的雜化軌道類型為_。寫出一種與CH3 -互為等電子體的分子_。（3）X 射線衍射測定等發(fā)現(xiàn)，I3AsF6 中存在 I3+ 離子。I3+ 離子的幾何構(gòu)型為_。（4）一定條件下 SbCl3 與 GaCl3 以物質(zhì)的量之比為 l：l 混合得到一種固態(tài)離子化合物，其結(jié)構(gòu)組成可能 為：(a) GaCl2+ SbCl4- 或(b) SbCl2+ GaCl4- ，該離子化合物最可能的結(jié)構(gòu)組成為_ (填“a”或“b”)，理由是_。（5）固態(tài) PCl5 結(jié)構(gòu)中存在 PCl4 和 PCl6 -兩種離子，其晶胞如圖所示。已知晶胞的邊長為 a pm ，阿伏加德羅常數(shù)值用 NA表示。則 PCl4 和 PCl6 - 之間的最短距離為_pm，固態(tài) PCl5 的密度為_gcm-3?！敬鸢浮縃CBr 4s24p5 sp3 雜化 NH3 V 形 b GaCl3 分子中，Ga 原子周圍價(jià)層電子對數(shù)為 3，是電子對的接受體，更容易與 Cl上的孤電子對結(jié)合，形成配位鍵，構(gòu)成GaCl4-離子，因此可能結(jié)構(gòu)應(yīng)是SbCl2+GaCl4- a 7銅及其化合物在工業(yè)生產(chǎn)及生活中用途非常廣泛?；卮鹣铝袉栴}：（1）基態(tài)亞銅離子價(jià)電子排布式為_；第一電離能I(Cu)_I (Zn)（填“”或“”）原因_；（2）Cu(CH3CN)42+比四氨合銅離子還穩(wěn)定，配離子中Cu的配位數(shù)是_，配體中碳原子的雜化類型是_,1molCH3CN中鍵的個(gè)數(shù)為_；（3）CuCl是有機(jī)合成中常見催化劑。CuCl熔化后幾乎不導(dǎo)電，推測CuCl晶體中化學(xué)鍵類型為_；CuCl加強(qiáng)熱會分解生成銅，銅晶體的堆積方式為_（用文字表示）。（4）冰晶體的結(jié)構(gòu)與金剛石的結(jié)構(gòu)相似，屬立方晶系。如圖，將金剛石晶胞中的C原子全部置換成O原子，O原子與最近距離的四個(gè)O原子相連，H原子插入兩個(gè)相連的O原子之間，與氧形成一個(gè)共價(jià)鍵和一個(gè)氫鍵，即為冰中的共價(jià)鍵和氫鍵。0時(shí)冰晶體中氫鍵的鍵長（AHB）為_pm（列式并計(jì)算）。（0時(shí)冰密度為0.9gcm-3） 【答案】3d10Cu的價(jià)電子排布式3d104s1 易失去最外層的一個(gè)電子，形成3d 上的全滿較穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，Zn的價(jià)電子排布式3d104s2 就是較穩(wěn)定結(jié)構(gòu)不易失去一個(gè)電子，所以第一電離能I(Cu) I (Zn)4sp3、sp雜化5NA共價(jià)鍵面心立方最密堆積8(1) 寫出鎳原子的電子排布式_。(2) 丙酮()分子中2號碳原子的雜化方式為_；與CS2互為等電子體的陰離子是_(寫一種)。(3)含0.1molCr(H2O)ClCl2H2O的水溶液與足量硝酸銀溶液反應(yīng)生成_molAgCl沉淀。(4)H2O分子的鍵角比H2S分子的鍵角大，原因是_ 。(5)N,P屬于同族元素，但是它們的簡單氫化物NH3,PH3在水中溶解度差異很大，其原因是 _(6) 由銅與氯形成的一種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(黑點(diǎn)代表銅原子)。該晶體的化學(xué)式為_。將晶胞內(nèi)的4個(gè)黑點(diǎn)相互連接所形成的立體構(gòu)型是_。晶體中與一個(gè)氯原子距離最近的氯原子有_個(gè)。已知該晶體的密度為g.cm-3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該晶體中銅原子和氯原子之間的最短距離為_pm(列出計(jì)算式即可)。【答案】1s22s22p63s23p63d84s2 或Ar3d84s2sp2雜化SCN（或OCN、CNO、N3-等）0.2氧的原子半徑比硫小，電負(fù)性比硫大，水分子中成鍵電子對更靠近中心原子，相互排斥作用大，鍵角大NH3分子能和水分子之間形成氫鍵CuCl正四面體形12 9選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)東晉華陽國志南中志卷四中已有關(guān)于白銅的記載，云南鎳白銅(銅鎳合金)聞名中外，曾主要用于造幣，亦可用于制作仿銀飾品?；卮鹣铝袉栴}：(1)鎳元素基態(tài)原子的電子排布式為_3d能級上的未成對電子數(shù)為_。(2)硫酸鎳溶于氨水形成Ni