設(shè)計充電機4

設(shè)計充電機4,設(shè)計,充電機 題目： 高頻軟開關(guān)逆變式充電器 I摘 要隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，用電設(shè)備對電源的要求不斷提高， 開關(guān)電源正逐步向著高效率、大功率密度、高可靠性、低電磁抗干擾、無噪聲、維修方便等方向發(fā)展。瞬時同步整流技術(shù)由于實現(xiàn)簡單，響應(yīng)速度快和具有自然限流等優(yōu)點而得到廣泛地應(yīng)用。本文在分析 DC-DC 技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)之上，用 Buck 電路，運用 MAX767 系列芯片研究一條簡潔的途徑實現(xiàn) DC-DC 直流變換，即應(yīng)用同步整流技術(shù)控制方法，來實現(xiàn)變換器高效工作。該變換器主電路結(jié)構(gòu)簡單可靠，可以實現(xiàn)輸入： DC 4.55.5V，輸出DC 5V/3.3A 的設(shè)計。分析其系統(tǒng)工作原理的過程，為該變換方法和應(yīng)用提供了理論基礎(chǔ)，通過同步整流技術(shù)的方法和應(yīng)用 MOSFET 管的設(shè)計，較理想的實現(xiàn)了 DC-DC 變換器的設(shè)計要求。最后，運用這些設(shè)計成功的設(shè)計出 DC-DC 直流變換器。本文主要介紹 Buck 電路和 MAX767 系列 DC 設(shè)計，工作原理和主要參數(shù)的設(shè)計，并對系統(tǒng)的外特性和穩(wěn)定性作了分析。關(guān)鍵詞：DC-DC 直流變換; 同步整流技術(shù); MOSFET 管IIAbstractWith the development of the electronic technology, the higher requirement of Power Supply are raised including high efficiency, high power density, low EMI, and rapid dynamic response. A hysterics-band instantaneous current control PWM Technique is popularly used because of its simplicity of implementation, fast current control response, and inherent peak current limiting capability.The design of the foundation of upper，with buck circuit，handle max767 series chip look into a slip of compact avenue realize dc-dc direct current transform，namely application synchronous rectification technical control means，came realize convector highly active wrought of the text at analyses dc-dc technological development. be ones turn convector trunk feeder structure simplicity credibility，could realize import：DC 4.55.5v，output dc 5V / 3.3ABoth that of analyses his system principle of operation course，for be ones turn transform method and application supply know clearly rationale，through the medium of synchronous rectification technical means and application MOSFET table design，compare ideal realize know clearly dc-dc convector design requirement.At the last，handle these be designed for wrought thought out dc-dc dc converter to.The design， combine versus systemic external characteristic and stability did know clearly analyses of the both text mostly introduce buck circuit and max767 series DC design， principle of operation and major parameter.keyword：dc-dc direct current transform synchronous rectification technology mosfet tube。III目錄摘 要 .IAbstract.II第一章 緒 論.11.1 PWM 技術(shù)歷史和現(xiàn)狀.11.2 高頻軟開關(guān)逆變式充電機.2第二章 主電路的設(shè)計.32.1 整流濾波電路.32.2 主電路的選型.42.3 軟開關(guān)技術(shù)的基本概念.62.4 軟開關(guān)技術(shù)的提出與發(fā)展.72.5 工作過程分析.92.6 全橋型電路的主電路元氣件參數(shù)的確定.122.7 輸出濾波電路的設(shè)計.16第三章 濾波電路和主電路的計算.183.1 濾波電感.183.2 濾波電容.193.3 開關(guān)器件的設(shè)計.203.4 主電路設(shè)計的具體計算.223.5 驅(qū)動電路的設(shè)計.27第四章 控制電路的設(shè)計及保護電路的實現(xiàn).314.1 控制方案的確定.314.2 PWM 信號的產(chǎn)生.334.3 移相及互鎖電路.364.4 開關(guān)信號的產(chǎn)生.38IV4.5 恒流控制電路的設(shè)計.394.6 調(diào)節(jié)器電路的設(shè)計.414.7 保護電路設(shè)計.42參考文獻.44致 謝.451第一章 緒 論1.1 PWM 技術(shù)歷史和現(xiàn)狀60 年代開始得到發(fā)展并應(yīng)用的常規(guī) PWM 功率變換技術(shù)使功率變換器的設(shè)計出現(xiàn)了很大的變化，它除去了龐大笨重的工頻變壓器，提高了電源的功率密度，減小了裝置的體積，提高了變換器的整體效率。隨著近些年來電子計算機、通訊設(shè)備，以及空間技術(shù)實際應(yīng)用需求的提高，要求常規(guī) PWM 變換器具有更小的體積，重量和更高的功率密度，這也意味著常規(guī) PWM 變換器要具有更高的工作頻率。然而，對于常規(guī)的 PWM 功率變換器，進一步提高開關(guān)頻率會面臨許多實際問題。在常規(guī) PWM 功率變換器中，一組斜對角線功率開關(guān)器件同時導(dǎo)通和截止，另一組斜種角線上的，也同時導(dǎo)通和截止。兩對功率開關(guān)管由驅(qū)動電路以 P19M 控制方式交替開通和關(guān)斷，開通時間均不超過半個周期。功率變換是通過中斷功率流和控制占空比的方法實現(xiàn)的，工作頻率恒定。但是功率開關(guān)管是在電壓不為零時導(dǎo)通，在電流不為零時關(guān)斷，處于強迫開關(guān)過程，又稱硬開關(guān)過程。在硬開關(guān)狀態(tài)下工作的常規(guī) PWM 功率變換器，隨著頻率的上升，一方面功率開關(guān)的開關(guān)損耗會成比例的上升，處理功率的能力大幅下降;另一方面，過高的 d v/d t, di /d t 將會產(chǎn)生嚴重的電磁干擾，雖然增加緩沖電路可以防止過高的 d v/d t, di /d t，但由此會增加開關(guān)器件的開關(guān)損耗，增大功率變換器的體積和造價。為克服常規(guī) PWM 功率變換器在硬開關(guān)的狀態(tài)下的諸多問題，80 年代以來軟開關(guān)技術(shù)得到了深入廣泛的研究并迅速發(fā)展壯大。21.開關(guān)逆變式充電機蓄電池充電設(shè)備的 基本原理就是一直流電源作用與蓄電池兩端，當電源電壓高于蓄電池兩端時，電池處于充電狀態(tài)。在這種狀態(tài)碎隨著充電的不斷的進行，蓄電池電動勢增加，充電電流相應(yīng)的減少，為了使充電機能以一定的電流對蓄電池充電，則應(yīng)增加相應(yīng)的電壓，使電流穩(wěn)定在給定值上。顯然手動充電機無法滿足這種要求，且超作的失誤將縮短蓄電池的使用壽命。本方案討論的就是用絕緣門極晶體管（IGBT）以及新型軟開關(guān)諧振脈寬調(diào)制（PWM）電路的充電系統(tǒng)，系統(tǒng)能根據(jù)設(shè)定完成對不同個蓄電池充電?？紤]到大功率及電網(wǎng)的污染問題，系統(tǒng)采用無控整流加 DC/DC 變換器的結(jié)構(gòu)。系統(tǒng)原理結(jié)構(gòu)框圖如圖1-1 所示： 輸 入 整 流 濾 波 濾 波驅(qū) 動模 塊軟 啟動 PWM保 護控 制 輸 出電 流 調(diào) 節(jié) 反 饋功 率 DC/變 換 器模 塊模 塊 電 路I電 流給 定 電 流電 壓反 饋圖 1-1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖本方案中所提的“軟開關(guān)逆變式”一詞是指充電機系統(tǒng)的核心部分DC/DC 變換器的結(jié)構(gòu)而言。在本系統(tǒng)中 DC/DC 變換器采用的是帶輔助換流諧振開關(guān)的全橋式 PWM DD/DC 變換電路。它是在全橋式 PWM DC/DC 變換電路的基礎(chǔ)上，結(jié)合零電壓諧振開關(guān)和零電流諧振開關(guān)技術(shù)而形成的一種新型開關(guān)電源設(shè)計。3第二章 主電路的設(shè)計電力電子技術(shù)是以電力為對象的電子技術(shù)，它在主要任務(wù)是對電能進行控制和交換。現(xiàn)在電力電子技術(shù)已成為信息產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)之間的重要接口、弱電與被控強電之間的橋梁。從 SCR、IGBT、SITH；從相控整流電路及周波變換電路到脈寬調(diào)制和高頻斬波電路，現(xiàn)代電力電子技術(shù)正逐漸向集成化、高頻化、全控化、電路弱電化、控制數(shù)字化和多功能化發(fā)展，本文所討論的充電機系統(tǒng)就是現(xiàn)代電子技術(shù)的產(chǎn)物。2.1 整流濾波電路整流電路由三相整流橋、充電電阻 R、短路開關(guān) S 和濾波電容 C1 構(gòu)成，如圖 2-1所示。 CoUiui+圖 2-1 整流濾波電路當電路加電時，開關(guān) S 處于斷開狀態(tài)，電網(wǎng)通過整流橋和充電電阻 R 向電容 C1 充電。電阻限流作用，防止加電時產(chǎn)生沖擊電流。4當電容充電結(jié)束后，開關(guān) S 閉合，將限流電阻 R 短路，電路進入正常工作狀態(tài)。開關(guān) S 的動作是由控制電路中的軟啟動電路實現(xiàn)的。由于整流濾波電路所使用的是不控制元件，對電網(wǎng)影響較少，同時，以軟啟動過程所實現(xiàn)可防止潮涌電流的產(chǎn)生。2.2 主電路的選型開關(guān)電源的電路拓撲結(jié)構(gòu)眾多，其中正激式、反激式和半橋型適合小功率電源使用，全橋型適合大功率電源使用，其中正激電路又可以分單管正激和雙管正激等多種。電路形式的最終確定，需要根據(jù)設(shè)計任務(wù)書和實際應(yīng)用場合的具體情況來確定。一般來說，功率很小的電源（1-100W ） ，采用電路簡單、成本低的反激型電路較好；當電源功率在 100W 以上且工作環(huán)境干擾很大、輸入電壓質(zhì)量惡劣、輸出短路頻繁時，則應(yīng)采用正激型電路；對于功率大于 500W、工作條件較好的電源，則應(yīng)采用半橋或全橋電路較合理；如果對成本要求比較嚴，可以采用半橋電路；如果功率很大，則應(yīng)采用全橋電路；推挽電路通常用于輸入電壓比較低、功率較大的場合。充電機的核心部分是 DC/DC 功率變換電路。 DC/DC 變換器一般可分為自激式和他激式兩種。自激式變換電路輸出功率較小，頻率不易控制，只用于較小故在此只介紹他激式變換電路，在他激式變換電路中，開關(guān)管的控制信號是由可調(diào)頻率的震蕩器給出的。下面對它激式變換電路的組成部分分別加以說明。A半橋式變換電路5D21LT2C0U1C3+-+-U圖 2-2 半橋式變換電路半橋式變換電路的工作原理如下所述。T1，T2 管的導(dǎo)通信號相差 180 度，且他們的導(dǎo)通時間均小于 T/2，使 T1、T2 不會導(dǎo)通。當 T1 導(dǎo)通時，電源 U1 通過 T1、C3，Tr 給 C2 充電，同時 C1 通過 T1、C3、Tr放電，二極管 D1 導(dǎo)通，電源通過變壓器向負載輸送能量，電感儲存能量。當 T1 截止、T2 還未導(dǎo)通時，Tr 線圈電壓為零，電感 L 通過 D1、D2 向負載供電。當 T2 導(dǎo)通時，電源通過 T2、C3、Tr 給 C1 充電， C3 被反相充電，同時 C2 通過Tr、C3 、T2 放電，二極管 D2 導(dǎo)通，電源向負載輸送能量，同時電感 L 存儲能量。半橋式變換電路多用于功率在 100700W 范圍內(nèi)的高壓開關(guān)電源中，該電路的優(yōu)點是電路中使用的功率開關(guān)管所承受的電壓較低，不會超過線路的峰值電壓。另外，半橋式電路具有自動平衡功能，即使由于某種原因兩只管子的導(dǎo)通時間不同，電路也會自動使變壓器初級正負半周的伏秒積相同，避免變壓器出現(xiàn)偏磁現(xiàn)象。半橋式變換電路的整個周期中，變壓器初級一直有電流通過，變壓器的利用率高。由于在半橋式變換電路中，高頻變壓器上施加的電壓只是輸入電壓的一半，與推挽電路相比，欲輸出相同的功率則高壓開關(guān)管必須流過兩倍的電流。 B全橋式變換電路將半橋式變換電路中的兩個電容 C1、C2 換成兩只高反壓功率開關(guān)管，并配以相應(yīng)6的驅(qū)動電路，就組成了全橋式變換電路.如圖 2-3 所示。-+UiT21C3-D21C0LUo+4圖 2-3 全橋式變換電路在全橋式變換電路中，開關(guān)管 T1 和 T4 同步通斷，T2 和 T3 同步通斷。電容 C3 用以阻斷變壓器初級線圈的直流成分并克服由于器件特性不對稱而導(dǎo)致的鐵芯飽和現(xiàn)象。全橋式變換電路的高頻變壓器工作時，初級線圈上的電壓為電源電壓，每只開關(guān)管的耐壓亦是電源電壓，這樣輸出功率可以增大一倍。該電路的主要不足是開關(guān)管數(shù)目增加從而使驅(qū)動和控制電路比較復(fù)雜。2.3 軟開關(guān)技術(shù)的基本概念所謂“軟開關(guān)”通常是指功率器件工作在零電壓開關(guān) ZVS 模式(Zero Voltage Switching)或零電流開關(guān)模式 ZCS(Zero Current Switching)。軟開關(guān)技術(shù)的實質(zhì)就是通過電感 L 和電容 C 的諧振，使開關(guān)器件中的電流或兩端電壓按正弦或準正弦規(guī)律變化，當電流自然流過零時，使器件關(guān)斷;當電壓下降到零時，使器件導(dǎo)通。功率器件在零電壓或零電流條件下完成導(dǎo)通與關(guān)斷過程，將使功率器件的開關(guān)損耗理論上為零。圖 2-4 給出了硬開關(guān)和軟開關(guān)的電壓和電流波形示意圖，可以對比分析。7圖 2-4 硬開關(guān)和軟開關(guān)的電壓.電流波形圖軟開關(guān)的四種理想切換方式1)零電壓開通一一功率開關(guān)上的電壓先下降到零時或其后，功率開關(guān)才開始恿過電流，稱零電壓開通。2)零電壓關(guān)斷一一功率開關(guān)上的電流先下降到零時或其后，功率開關(guān)上的電壓還維持在零，則稱零電壓關(guān)斷。3)零電流開通一一功率開關(guān)上的電壓先下降到零時或其前，功率開關(guān)一直不流過電流則稱零電流開通。4)零電流關(guān)斷一一功率開關(guān)上的電流先下降到零時或其后，功率開關(guān)上的電壓才開始上升，則稱零電流關(guān)斷。2.4 軟開關(guān)技術(shù)的提出與發(fā)展針對常規(guī) PWM 控制的上述問題，美國 Virginia 大學的李澤元教授提出了諧振軟開關(guān)的概念“。是在硬開關(guān)逆變器拓撲中引入諧振環(huán)節(jié)，利用諧振環(huán)節(jié)的能量變化來優(yōu)化變換器中功率器件的開關(guān)特性:開通時，電壓先下降到零，電流再緩慢上升到通態(tài)值，關(guān)斷時電流先下降到零，電壓再緩慢上升到斷態(tài)值。這樣可以解決硬開關(guān)電路中存在的開關(guān)損耗大的問題，同時也解決了硬開關(guān)變換器引起的 EMI 問題。它一舉突破了以往硬開關(guān)技術(shù)的局限性，使得采用諧振軟開關(guān)逆變器的開關(guān)頻率可以提高到很高。諧振軟開關(guān)概念的提出引起了電力電子領(lǐng)域的一場革命，許多研究人員致力于諧8振理論和軟開關(guān)技術(shù)的研究。1986 年美國威斯康辛大學的 D. M. Divan 教授提出了諧振直流環(huán)節(jié)逆變器，解決了多個諧振開關(guān)的諧振元件作用相互影響的問題，該電路的不足之處是在直流環(huán)節(jié)上進行電壓諧振，開關(guān)器件承受的電壓應(yīng)力增大。后來 D. M. Divan 教授又將諧振回路放置在逆變橋之后構(gòu)成了另一種諧振逆變器一一極諧振型逆變器，雖然為開關(guān)器件產(chǎn)生 ZVS 導(dǎo)通條件，但電路復(fù)雜，控制難度大。在此之后，為了進一步簡化電路拓撲結(jié)構(gòu)，各國研究者進行了不懈的努力。自 20世紀 80 年代以來，國內(nèi)外不斷研制開發(fā)出新的高頻軟開關(guān)逆變器拓撲，到目前為止提出了多種不同的軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)，實際應(yīng)用也取得了一系列成功。軟開關(guān)技術(shù)先后經(jīng)歷了串聯(lián)諧振術(shù)、準諧振或多諧振技術(shù)(20 世紀 80 年代中期)、ZCS-PWM,ZVS-PWM 或移相全橋 ZVS-PW 術(shù)(20 世紀 80 年代末期)、ZCT-PWM 或 ZVT-PWM 技術(shù)(20 世紀 90 年代初期)、全橋移相 ZV ZCS-PWM 技術(shù)(20 世紀 90 年代中期)幾個發(fā)展階段。而全橋移相軟開關(guān)逆變電路是近些年來應(yīng)用最廣泛的一種軟開關(guān)逆變拓撲形式，如圖 2-5 所示。這種技術(shù)實際上是將諧振技術(shù)與常規(guī) PWM 變換技術(shù)的結(jié)合。其基本工作原理簡述為(因IGBT 模塊內(nèi)并聯(lián)了續(xù)流二極管，而實際電路中并不需要，僅為論述方便在圖中畫出，以后各章同理):每個橋臂的兩個開關(guān)管 180互補導(dǎo)通，兩個橋臂的導(dǎo)通之間相差一個相位，即所謂移相角。通過調(diào)節(jié)此移相角的大小，來調(diào)節(jié)輸出電壓脈沖寬度，在變壓器副邊得到占空比 D 可調(diào)的正負半周對稱交流方波電壓，從而達到調(diào)節(jié)相應(yīng)輸出電壓的目的。如果 Q1 和 Q2 的驅(qū)動信號分別領(lǐng)先于 Q3 和 Q4，則可定義 Q 1, Q2 組成的橋臂為超前臂，Q3, Q4 組成的橋臂為滯后臂。并在 IC 控制端對同一橋臂的兩個(Q1 與 Q2 或Q3 與 Q4)開關(guān)管的相驅(qū)動電壓設(shè)置不同的死區(qū)時間，巧妙利用開關(guān)管的結(jié)電容和高頻變壓器的漏感作為諧振元件，使全橋變換器的四個功率開關(guān)管依次在零電壓下導(dǎo)通，在電容作用下零電壓關(guān)斷，錯開功率器件大電流與高電壓同時出現(xiàn)的硬開關(guān)狀態(tài)，抑制感性關(guān)斷電壓尖峰和容性開通的管溫過高，減小了開關(guān)損耗與干擾。但要做到以上這些，必須設(shè)計滿足要求的軟開關(guān) PWM 電路拓撲，同時還要合適的控制與其相配合。如圖 25：9圖 2-5 原邊加電容和飽和電感的 FB-ZVS/ZCS 變換電路2.5 工作過程分析為了便于下面的分析，討論前仍需作如下幾點假定:1.所有開關(guān)管、二極管均為理想器件；2.飽和電感飽和時電感為零，不飽和時電感量為無窮；3.輸出濾波電感電量足夠大，在一個開關(guān)過程中可以等效為一個恒流源；4.阻斷電容足夠大，在電流復(fù)位過程中可等效一個恒流源；5. ( 為外部實際并聯(lián)的電容)。rC21(1)to-t1 時間段(模式 1)在這個時間段，主功率開關(guān)管 Q1，和 Q4，導(dǎo)通，原邊電流 從電源正極經(jīng) Q1 變PI壓器原邊繞組、阻斷電容 . ，回到電源負極。 一方面通過變壓器將電源輸入的b4QPi能量傳遞給負載，另一方面給阻斷電容充電。在這個時間段內(nèi)，飽和電感一直處于飽和狀態(tài)，原邊電流 = =n 恒定不變，這個時間段對應(yīng)的等效電路拓撲如圖 2-6(a)所piPI0示。在這個時間段的初始時刻 ，阻斷電容上的電壓 等于一 ( ，為 的ot cbVpVcbcb正峰值)。在這個時間段內(nèi)有:（2.1）cbVcbptnI0式中,n 為變壓器變比， 為輸出電流。在時刻 t1，開關(guān)管 Q1，截止，這個時間0I結(jié)束。在這個模式下工作的持續(xù)時間 取決于開關(guān)頻率和變壓器原邊的占空比。01tT(2) 時間段(模式 2)21t10在時刻 t1，開關(guān)管 Q1 截止，原邊電流從 Q1，轉(zhuǎn)移到 C1，和 C2 支路中，給 C1，充電，同時給 C2 放電，因為電容兩端電壓不能突變，所以開關(guān)管 Q1，是在電容 C1,和C2 的作用下零電壓關(guān)斷。這個時間對應(yīng)的等效電路如圖 2-6(b)所示?？紤]到前面的假定，由于輸出濾波電感很大，負載被等效成一恒流源，故可以認為在此段時間內(nèi)原邊電流 = =n 近似不變，類似一個恒流源。因此電容電壓 可近似認為在恒流源piPI0 2CV作用下線性下降。即PI（2.2）CtnIVic02式中，C= C1+C2。在時刻 t2, C2 上的電壓下降到零，開關(guān)管 Q2 的反并聯(lián)二極管D2 自然導(dǎo)通，這個時間段結(jié)束。這個時間段的長度為:（2.3） 012nIVtTi(3) t2-t3 時間段(模式 3)在時刻 t2, 下降到零，D2 導(dǎo)通，開關(guān)管 Q2 隨后可以在零電壓下完成開通，2C原邊電流通過 Q4 和 D2 續(xù)流，將電壓 箝位在零，阻斷電容 上的電壓上升到 。abVbCcbpV在這個時間段，飽和電感仍處于飽和狀態(tài)。在阻斷電容電壓 的作用下，原邊電流將cV迅速下降，并導(dǎo)致副邊電流迅速下降。輸出電流 I0 與副邊電流的差值將通過副邊整流器續(xù)流，從而將變壓器副邊和原邊短路。這個時間段的等效電路圖如圖 2-6(c)所示，其工作過程的波形如圖 2-7 所示。根據(jù)前面的假定，由于 足夠大，因此在這個時間bC段其上的電壓 = 可近似看作不變。cbVp由于電壓 等于零，變壓器原邊短路，故阻斷電容電壓 全部加在諧振電感上，a cbV這時有:（2.4）tLVnIiscbpp0在時刻 t3，原邊電流 衰減到零，這個工作模式結(jié)束。該工作模式的持續(xù)時間為: pi（2.5） sVnItTcbp02311圖 2-6 FB-ZVS/ZCS-PWM 變換電路工作原理(4)t3-t4 時間段(模式 4)在時刻 t3 ， 衰減到零之后，在阻斷電容電壓 的作用下 將試圖向反方向變pi cbVpi化，但這時飽和電感 己退出飽和狀態(tài)，呈現(xiàn)出較大的電感量，阻止了 的進一步變STL化。在這個時間段，阻斷電容上的電壓保持不便，開關(guān)管 Q4 仍處于導(dǎo)通狀態(tài)，但已沒有電流流過。如果 Q4 為 IGBT 管，則其上的少數(shù)載流子可在這個時間段得到復(fù)合。由于原邊電流為零，A 點對地電壓為 B 點對地電壓為 =- 這個時間的等效0AVBVcbp電路圖如圖 2-6 (d)所示。(5)t4t5 時間段 (模式 5)在時刻 t4，開關(guān)管 Q4 在零電壓、零電流狀態(tài)下關(guān)斷。在這個時間段阻斷電容上的電容繼續(xù)維持不變，主電路中的電流為零。等效電路圖如圖 2-6(e)所示。這個時間段實際上是滯后臂開關(guān)管狀態(tài)轉(zhuǎn)換之間的死區(qū)時間，在這個時間段里，剩余少數(shù)載流子繼續(xù)復(fù)合移去。(6)t5-t6 時間段(模式 6)在時刻 t5，開關(guān)管 Q3 導(dǎo)通，由于此時飽和電感器尚未進入飽和，原邊電流 不可pi能突變，需要經(jīng)過一定的時間才能迅速上升，因此 Q3 的導(dǎo)通為零電流導(dǎo)通。Q3 導(dǎo)通后，在阻斷電容電壓和輸入電壓的共同作用下飽和電感很快又進入飽和區(qū)。由于漏感很小，因此原邊電流 在這兩個電壓的共同作用下迅速線性上升。pi這時有:12（2.6）tLViscbpinp在時刻 t6, 上升到等于輸出電流反射值在時刻 輸出電流全部通過變壓器副pi 0nI邊、電源再次向負載輸送能量。之后，阻斷電容 上的電壓 將向由正向負逐漸減小bCcbV開始下半個對稱的周期。這個工作模式的等效電路如圖 2-6(F)所示，其持續(xù)時間（2.7）incbpSVLItT056圖 2-7 FB-ZVS/ZCS-PWM 變換電路工作波形2.6 全橋型電路的主電路元氣件參數(shù)的確定下面介紹的設(shè)計方法適用于正激、推挽、半橋、全橋型電路， 變壓器的設(shè)計變壓器是開關(guān)電源中的核心元件，其他主電路器件的設(shè)計都依賴于變壓器的參數(shù)，因此首先應(yīng)對變壓器參數(shù)進行設(shè)計。高頻變壓器工作時的電壓、電流都不是正弦波，因此工作狀況與工頻變壓器是不一樣的，設(shè)計公式也有所不同。需要設(shè)計的是電壓比，鐵心的形式和尺寸、各繞組匝數(shù)的、導(dǎo)體截面積等。電壓比 kt 電壓比的設(shè)計原則是電路在最大占空比和最低輸入電壓的條件下，輸出電壓仍能達到設(shè)計需要的上限，考慮到電路中的壓降，輸出電壓應(yīng)留有余量；（2.8） minaxToUDk13kt電壓比；Uinmin輸入直流電壓最小值，應(yīng)選輸入電壓下限，注意考慮電壓波紋；Dmax最大占空比；Uomax最高輸出電壓；電路中的壓降，應(yīng)包含整流二極管壓降和電路中的線路壓降等。U鐵心的選取 計算出電壓比后，可根據(jù)以下公式選取合適的鐵心：（2.9）tewsCePAfBDk式中 Ae鐵心磁路截面積；Aw鐵心窗口面積；PT變壓器的傳輸功率；Fs開關(guān)頻率鐵心在一個工作周期內(nèi)磁感應(yīng)強度的 變化范B圍（見圖 2-8）圖 2-8 充電電流與電壓的關(guān)系14Dc變壓器繞組導(dǎo)體的電流密度kc繞組在鐵心窗口中的填充系數(shù)根據(jù)以上公式計算出鐵心應(yīng)具備的截面積窗口面積后，可以在生產(chǎn)廠家提供的產(chǎn)品手冊中查到合適的鐵心，使其形狀和尺寸滿足要求。繞阻匝數(shù) 選定鐵心后，便可以計算繞組匝數(shù)。由于電壓比已知，可以首先計算一次或二次繞組匝數(shù)中任意一個，然后根據(jù)電壓比推算另一個。通常計算二次匝數(shù)更加容易，計算公式為（2.10）VeSNBA式中 N所計算的繞組的匝數(shù)；Sv這一繞組的最大伏-秒面積 （既圖 2-9 和圖 2-10 中陰影部分）圖 2-9 電路繞組電壓.勵磁電流和變壓器工作時的磁化曲線15圖 2-10 雙端電路繞組電壓.勵磁電流和變壓器工作時的磁化曲線其定義為（2.11）0TonVtSud鐵心工作時的允許磁感應(yīng)強度；BAe鐵心磁路截面積。為了保證在任何條件下鐵心不飽和，設(shè)計時應(yīng)按最大伏-秒面積計算匝數(shù)。因為電路中電壓的波形都是方波，所以最大伏-秒面積的計算可以簡化為電壓和脈沖寬度的乘積。通常計算二次側(cè)最大伏-秒面積較為方便。 對于半橋、全橋、推挽等雙端電路：（2.12） 22220maxax0 0maxmax2SSTTTon SVMAXt tOtTSudUddU因此，二次繞組匝數(shù)的設(shè)計公式簡化為正激型電路： （2.13）02SeTNBA半橋、全橋、推挽電路：（2.14）02SeU16一次側(cè)繞組匝數(shù)可由二次側(cè)繞組和電壓比推算出來。繞組導(dǎo)體截面積根據(jù)流過每個繞組的電流值和預(yù)先選定的電流密度，既可計算出繞組 導(dǎo)體截面積： （2.15）CcIAd變壓器設(shè)計的其他問題包括變壓器勵磁電感和漏感的估算，以及繞組結(jié)構(gòu)的設(shè)計。可以用變壓器的等效電路來說明勵磁電感和漏感，如圖 2-11圖 2-11 變壓器的 T 型等效電路圖中 Lm1、Lm2 為勵磁電感；Lsi 為一次側(cè)繞組的漏感，Ls2 為二次側(cè)繞組的漏感，已經(jīng)按電壓比折算到一次側(cè)。 （2.16）2011reMANLl 0真空磁導(dǎo)率；r 鐵心材料相對磁導(dǎo)率；Ae鐵心截面積；N1一次繞組匝數(shù)；L鐵心磁路長度。由于鐵心材料的相對磁導(dǎo)率 r 很大，因此勵磁電感通常也較大。如果鐵心未夾緊，磁路中有間隙，則勵磁電感會急劇下降，勵磁電流成倍增加，導(dǎo)致變壓器性能嚴17重惡劣化。變壓器的漏感來源于沒有同時鉸鏈一次繞組和二次繞組的漏磁通。因此它同一、二次繞組相偶合的緊密程度緊密相關(guān)。漏感對工作電路帶來的影響主要是負面的，開關(guān)氣件關(guān)斷時很高的 di/dt 使漏感兩端產(chǎn)生尖峰狀電壓，給開關(guān)器件造成過電壓。雖然可以采用 Rc 吸收電路來降低過電壓，但會造成較大的損耗。過大的漏感還會造成占空比的損失。因此變壓器的設(shè)計應(yīng)盡量減少漏感。減少漏感的方法主要是提高一二次繞組耦合的程度，如采用間隔繞組等。2.7 輸出濾波電路的設(shè)計輸出濾波電路的作用是濾除二次側(cè)整流電路輸出的脈動直流中的交流分量，得到平滑的直流輸出。在開關(guān)電源中通常采用一級 LC 濾波電路，當要求輸出紋波很小時，采用二級 LC 濾波電路，如圖 2-12 所示。圖 2-1(a)一 級 LC濾 波 電 路18圖 2-1(b)二 級 LC濾 波 電 路濾波器的設(shè)計首先應(yīng)進行電感的設(shè)計，然后再進行電容的設(shè)計。19第三章 濾波電路和主電路的計算3.1 濾波電感設(shè)計濾波電感首先應(yīng)根據(jù)輸出電壓、輸出電流和開關(guān)頻率，并首先選定允許的輸出電感電流紋波值，然后按公式計算電感值；正激型電路：（3.1）2omsULfI全橋、半橋、推挽型電路：（3.2）4omsfI式中 L濾波電感的值；Uon 輸入電壓最高、占空比為 0.5 時的輸出電壓值，此時電感電流紋波最大；Fs開關(guān)頻率； 允許的電感電流最大紋波波峰峰值；計算出電感值后，根據(jù)電感值和流過電感的電流，再計算以下各項。（1） 計算電感鐵心(3.3)maxewcLIAdBK式中 Ae鐵心磁路截面積；Aw鐵心窗口面積；20L電感值Imax電感電流最大有效值max電感電流最大峰值；Bmax磁路磁通密度最大值；Dc電感繞組導(dǎo)體的電流密度；Kc繞組在鐵心窗口的填充系數(shù)；（2） 計算繞組匝數(shù)(3.4)maxLeINBA（3） 計算氣隙(3.5)20_eLl然后根據(jù)電感電流和預(yù)先選定的電流密度，可以計算出繞組截面積。3.2 濾波電容由于已知電感電流最大紋波系數(shù)，可以假設(shè)電感電流最大紋波有效值為 /2，而濾波阻抗：(3.6)21()CCEScsXLR式中 Rces濾波電容等效串聯(lián)電阻；Lces濾波電容等效串聯(lián)電感；C濾波電容值；w電容的工作頻率。若根據(jù)預(yù)先選定的輸出電壓最大紋波有效值，則可按下式計算出濾波電容的阻抗；21(3.7)2cUXI然后根據(jù)電容手冊選取合適的電容。由于開關(guān)電源中的輸出濾波器處理的功率很大，濾波電感的濾波容量應(yīng)留有足夠的容量，以免在輸出大電流時飽和；濾波電容需采用高頻電解電容，以提高濾波效果，減少發(fā)熱；往往采用多個小電容并列，以降低等效串連電感和等效串聯(lián)電阻。3.3 開關(guān)器件的設(shè)計1. 開關(guān)器件的設(shè)計原則 變壓器和濾波電路設(shè)計完畢后，電路中各電壓和電流參數(shù)已基本確定，就可以開始開關(guān)器件的設(shè)計了。開關(guān)器件的設(shè)計應(yīng)遵循以下兩個原則：（1）器件工作時的電壓和電流都不應(yīng)超出其安全工作區(qū)，IGBT，MOSFET 以及各種二極管，都有相應(yīng)的安全共工作區(qū)，這也是設(shè)計手冊的重要內(nèi)容。值得注意的是，開關(guān)器件在實際電路中所承受的電流和電壓都是脈沖的，應(yīng)此脈沖工作區(qū)是最有指導(dǎo)意義的。（2）工作時的節(jié)溫不能超過最大節(jié)溫 由于半導(dǎo)體較高的溫度條件下會變成導(dǎo)體從而失去阻斷電壓的能力，因此器件工作中管芯的溫度結(jié)溫不能超過允許值。這一上限同管芯材料和工藝有關(guān)。對于采用目前普遍使用的硅材料制造的各種高頻開關(guān)器件，如 IGBT、MOSFET 和 GTR 而言，其結(jié)溫上限 125125。器件工作中都會產(chǎn)生損耗，以熱的形式通過器件的殼體散發(fā)到周圍環(huán)境中，傳熱過程中結(jié)殼間就會形成溫差。在實際設(shè)計中，應(yīng)該計算出開關(guān)器件工作時的電壓和電流峰值，并根據(jù)安全工作區(qū)（SOA）來初步選擇器件的電壓和電流容量，然后根據(jù)估算的器件發(fā)熱功率、最高環(huán)境溫度和熱阻等參數(shù)來估算工作時的結(jié)溫，并應(yīng)留有裕量。2 變壓器二此側(cè)整流二極管的設(shè)計 流過二極管的峰值電流為22(3.8)()SonfaPEmxa12DoII流過二極管的峰值電流為(3.9)axmaxDoII所選取的二極管允許的峰值電流應(yīng)大于式（3.8）式中的 ，平均電流應(yīng)大于axDI（3.9）中的 Idmax.根據(jù)二極管的平均電流可以估算其通態(tài)損耗：(3.10)maxDonDPIU式中 Ud二極管在流過峰值電流時的通態(tài)壓降。二極管的開關(guān)損耗可按下式計算：(3.11) ()DSonfaE式中 Eon 和 Eoff每次開通和關(guān)斷損耗的開關(guān)能量；fs電路的開關(guān)頻率；根據(jù)二極管的損耗功率和器件的節(jié)溫上限以及環(huán)境溫度的上限可以計算出允許的散熱熱熱阻的上限為 （3.12） jMathjcthaDonSTRP式中 Rthj-c 二極管的結(jié)殼熱阻；R thc-a散熱器的熱阻；T Jm二極管允許的最高結(jié)溫；T aM 技術(shù)要求中環(huán)境的上限。二極管的結(jié)殼熱阻加散熱器熱阻不能夠超過式（3.12）指出的上限，這是選取二極管及其散熱器的依據(jù)。3. 開關(guān)管的設(shè)計流過開關(guān)管的峰值電流為 （3.13）maxax12sOII流過開關(guān)管的最大平均電流為 （3.14）axmaxsOIDI23所選開關(guān)管的允許峰值電流應(yīng)大于式（3.13）中的 smax，平均電流應(yīng)大于（3.14）中的smax根據(jù)開關(guān)管的平均電流，可以估算其通態(tài)損耗；（3.15）maxSonSPIU式中 Us開關(guān)管在流過峰值電流時的通態(tài)壓降。對于單集型器件，應(yīng)采用其通態(tài)電阻和流過其電流有效值技術(shù)通態(tài)損耗。開關(guān)管的開關(guān)損耗可以按以下式估算：（3.16）()SonfaPE式中 Eon 和 Eoff每次開通和關(guān)斷耗散的開關(guān)能量；Fs電路的開關(guān)頻率。根據(jù)開關(guān)管的損耗功率（即發(fā)熱功率）和器件的結(jié)溫上限以及環(huán)境溫度的上限可以計算出允許的散熱熱阻的上限為（3.17）jMathjcthaSonsTRP式中 開關(guān)管的結(jié)殼熱阻；thjc散熱器的電熱阻；ta開關(guān)管允許的最高結(jié)溫；jMT技術(shù)要求中環(huán)境溫度的上限。a開關(guān)管的結(jié)殼熱阻加熱器熱阻不能超過由式（3.17）指出的上限，是選取開關(guān)管及其散熱器的依據(jù)。3.4 主電路設(shè)計的具體計算技術(shù)要求：1）輸入電壓：交流三相 380V（110%） ，50H z。2）輸出電壓：額定直流 220V，調(diào)節(jié)范圍為 0300V。243）輸出電流：最大 30A4）輸出紋波：紋波系數(shù)不大于 0.5%。5）工作溫度:040 主電路設(shè)計：（1）主電路的選型 該電源最大輸出功率為 30*300=9000 屬于功率較大的開關(guān)電源，因此應(yīng)選取全橋型主電路；輸出電壓最高為 300V，考慮到二極管的耐壓，變壓器二次側(cè)應(yīng)采用全橋整流電路。為了簡化設(shè)計過程以便于理解，采用硬開關(guān)電路。1變壓器的設(shè)計 電壓比 kt 電壓比的計算按照式（3.18） 。本文中，在輸入電壓為 300V 時，選取Uin min 為整流后的直流電壓減去電壓波動量的一半，即 440V。Dmax 同控制電路有關(guān)，此處選為 0.9。Uomax 選為最高輸出電壓 300V，U 選 2V。將以上數(shù)據(jù)代入式（3.19）可得(3.18)1.Tk2鐵心的選取 首先按式（3.19）計算鐵心，窗囗的面積，其中 Pt 取 9000W，開關(guān)頻率 Fs 取 50KHZ，dc 選取 4A/mm2，即 4*106A/mm2，窗口填充系數(shù) Kc 選取 0.5。將這些數(shù)據(jù)代入式（3.19） ，得(3.19)TewscPAfBdk按照鐵氧體鐵心生產(chǎn)廠家提供的手冊，可以選擇鐵心型號為 EE65，其鐵心截面積為0.45*10-4m4，窗口面積為 1.86*10-7 鐵心，窗口面積為 4546 可以滿足要求。3繞組匝數(shù) 選定鐵心后，便可以根據(jù)式（3.20）計算繞組匝數(shù)。(3.20)2voseSUTNBA代入數(shù)據(jù)得 N2=40一次繞組匝數(shù)可由二次繞組匝數(shù)和電壓比推算得到，為4514繞組導(dǎo)體截面 根據(jù)式（3.21）可得二次繞組的導(dǎo)體截面積25(3.21)2ceIAd代入數(shù)據(jù)得 Ac2=7.5mm2根據(jù)電壓比可以算出一次繞組導(dǎo)體的截面積：Ac1=8.2mm2（2）輸出滹波電路的設(shè)計 首先進行電感的設(shè)計。1濾波電感的設(shè)計 首先按公式（3.2）計算電感值，其中輸出電壓 Uom 取 300V，開關(guān)頻率 Ft 為 50HZ，允許的電感電流最大紋波峰峰值 I 取最大輸出電流的 20%，即2A，計算得L=0.25mh 計算出電感值后，根據(jù)電感值和流，按式（3.3）選定電感鐵心，其中電感值 L 取0。25mH；電感電流最大有效值 Imax 取最大輸出電流 30A，電感電流最大峰值 取maxI最大輸出電流加上電感電流最大紋波峰峰值 的一半即 11A；磁路磁通密度最大值IBmax 取 0.3T；電感繞組導(dǎo)體的電流密度 dc 取 4A/mm;窗口面積為 3.69*10-4，鐵心，窗口面積積為 1.32*10-7mm2，可以滿足要求。再按公式（3.4）計算繞組匝數(shù)：=51LN按公式（3.5）計算氣隙，其中 為真空磁導(dǎo)率， 601.2570/Hm32.10lm注意到鐵心由兩半對合而成功之，氣隙長度 l 應(yīng)為 2 倍的鐵心間距，因此鐵心間距應(yīng)取1.2mm.然后根據(jù)熱氣電感電流和預(yù)先選定的電流密度，算出電感繞組的導(dǎo)體截面積。 2.5cLAm2 濾波電容的確定 由于已知電感電流最大紋波值，可以假設(shè)電感電流最大紋波值為 180，而輸出電壓最大紋波有效值取為輸出電壓下限的 0.5%，即 0.9，可以按式（3.6）計算出濾波電容的阻抗： 1.4cX一種標稱容量為 470F ，耐壓為 400V 的電解電容器，其實測容值為 416F，串聯(lián)等26效電阻為 0.5 串聯(lián)等效電感受為 0.5H。紋波電流頻率為 100KHZ，該電容的等效阻抗為 0.6，故采用一個該型號電容即可。（3）開關(guān)器件的設(shè)計1 變壓器二次側(cè)整流一極管的設(shè)計 基承受的反向電壓最大值為整 流電壓最大值除以變壓器電壓比 取 400V，考慮到二極管關(guān)斷時會有過電壓，并考慮到輸入電壓的浪涌等因素，因此選取二極管的耐壓不低于 600V。流過二極管的峰值電流按式（3.8）設(shè)計： max30DIA流過二極管的最大平均電流按式（3.9） 設(shè)計： axDI所選取的二極管的允許的峰值電流應(yīng)大于 33A，平均電流應(yīng)大于 15A根據(jù)二極管的平均電流可以近按式（3.10）估算其通態(tài)損耗， 其中二極管通態(tài)壓降 根據(jù)有關(guān)產(chǎn)品手冊取 2V：DU10DonPW二極管的開關(guān)損耗根據(jù)經(jīng)驗，按通態(tài)損耗的 1.2 倍估算，即2DS按式（3.11） ，根據(jù)二極管的損耗功率（即發(fā)熱功率）和器件的結(jié)溫 上限可以計算出允許的散熱熱阻的上限，其中環(huán)境溫度上限為 40，結(jié)溫上限取120： 2.6/thjcthjaRW二極管的結(jié)殼熱阻加散熱器熱阻不能超過 2.6K/W，這是選取二極管及其散熱的依據(jù)。根據(jù)快速恢復(fù)二極管生產(chǎn)廠家提供的手冊，一種型號為 DSEI3006A 的二極管，其反向耐壓為 600V，正向電流為 14A，結(jié)殼熱阻 為 2K/W，其管殼與散熱器的thjcR接觸熱阻典型值為 0.5K/W，這樣，散熱臺面到環(huán)境的熱阻就不能大于 0.1K/W，這意味著要用較大的散熱器并需要強制風冷，不大合理。因此，選擇另一種電流容量更大的 DSEI3006A 型，二極管，其反向耐壓為 600V，正向電流為 37A，結(jié)殼熱阻27為 1K/W，管殼與散熱器的接觸熱阻典型值為 0.25K/W，散熱器臺面到環(huán)境的熱t(yī)hjcR阻取 1。35/W，這一數(shù)值較為合理。2開關(guān)管的設(shè)計 開關(guān)管選取電力 MOSFET，其斷態(tài)耐壓為整流電壓的峰值，即590V，考慮到關(guān)斷時的過電壓以及輸入電壓的浪涌，開關(guān)管的耐壓取 800V 以上。流過開關(guān)管的峰值電流按式（3.13）計算 max7.8SIA流過開關(guān)管的最大平均電流按式（3.14）計算： ax3.2SI所選開關(guān)管的允許峰值電流應(yīng)大于式（3.13）中的 ，平均電流應(yīng)大于式（3.14）maxSI中的 maxSI電力 MOSFET 的通態(tài)損耗應(yīng)按其電流有效值計算，考慮到計算的簡單，可以用開關(guān)電流峰值的 來估算，即開關(guān)管的電流有效值為 ，則開關(guān)管的通態(tài)127.852A損耗為 218.5SonSmaxDSonPIR式中 開關(guān)管電流有效值，為 505A；2SmaxI開關(guān)管通態(tài)電阻，根據(jù)手冊選取 0.6DonR開關(guān)管的開關(guān)損耗可以按通態(tài)損耗的 11.5 倍估算：27.sPW根據(jù)式（3.17）可以計算出允許的散熱熱阻的上限，其中器件的結(jié)溫 最大值 Tm 取 120環(huán)境溫度上限 TaM 為 40 2./thjcthjaR在電力 IGBT 生產(chǎn)廠家提供的手冊中，想到 型號為 TYN-1016 的器件， 其耐壓為 800V，電流為 15A，通態(tài)電阻為 1.0 ，結(jié)殼熱阻 為 0.7/W,其可乘之thjcR機殼與散熱器的接觸熱阻為 1.25K/W.28至此主電路參數(shù)設(shè)計完畢設(shè)計結(jié)果如圖 3-1 所示。 圖 3.1 所計算的主電路3.5 驅(qū)動電路的設(shè)計驅(qū)動電路是控制電路與主電路的接口，同開關(guān)電源的可靠性、效率等性能密切相關(guān)。驅(qū)動電路需要有很多的快速性，能提供一定的驅(qū)動功率，并具有較高的抗干擾和隔離噪聲能力