2019年高考物理真題分類匯編 專題9 磁場.doc

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2019年高考物理真題分類匯編 專題9 磁場 考點一　磁場　磁場力 1.(xx課標(biāo)Ⅰ,15,6分)關(guān)于通電直導(dǎo)線在勻強磁場中所受的安培力,下列說法正確的是(　　) A.安培力的方向可以不垂直于直導(dǎo)線 B.安培力的方向總是垂直于磁場的方向 C.安培力的大小與通電直導(dǎo)線和磁場方向的夾角無關(guān) D.將直導(dǎo)線從中點折成直角,安培力的大小一定變?yōu)樵瓉淼囊话? 答案　B　 2.(xx浙江理綜,20,6分)(多選)如圖1所示,兩根光滑平行導(dǎo)軌水平放置,間距為L,其間有豎直向下的勻強磁場,磁感應(yīng)強度為B。垂直于導(dǎo)軌水平對稱放置一根均勻金屬棒。從t=0時刻起,棒上有如圖2所示的持續(xù)交變電流I,周期為T,最大值為Im,圖1中I所示方向為電流正方向。則金屬棒(　　) 　　　　圖1　　　　　　　　　　　　　圖2 A.一直向右移動 B.速度隨時間周期性變化 C.受到的安培力隨時間周期性變化 D.受到的安培力在一個周期內(nèi)做正功 答案　ABC　 考點二　帶電粒子在勻強磁場中的運動 3.(xx廣東理綜,36,18分)如圖所示,足夠大的平行擋板A1、A2豎直放置,間距6L。兩板間存在兩個方向相反的勻強磁場區(qū)域Ⅰ和Ⅱ,以水平面MN為理想分界面,Ⅰ區(qū)的磁感應(yīng)強度為B0,方向垂直紙面向外。A1、A2上各有位置正對的小孔S1、S2,兩孔與分界面MN的距離均為L。質(zhì)量為m、電量為+q的粒子經(jīng)寬度為d的勻強電場由靜止加速后,沿水平方向從S1進入Ⅰ區(qū),并直接偏轉(zhuǎn)到MN上的P點,再進入Ⅱ區(qū),P點與A1板的距離是L的k倍,不計重力,碰到擋板的粒子不予考慮。 (1)若k=1,求勻強電場的電場強度E; (2)若2)　(4)vmax= 13.(xx四川理綜,11,19分)如圖所示,水平放置的不帶電的平行金屬板p和b相距h,與圖示電路相連,金屬板厚度不計,忽略邊緣效應(yīng)。p板上表面光滑,涂有絕緣層,其上O點右側(cè)相距h處有小孔K;b板上有小孔T,且O、T在同一條豎直線上,圖示平面為豎直平面。質(zhì)量為m、電荷量為-q(q>0)的靜止粒子被發(fā)射裝置(圖中未畫出)從O點發(fā)射,沿p板上表面運動時間t后到達K孔,不與板碰撞地進入兩板之間。粒子視為質(zhì)點,在圖示平面內(nèi)運動,電荷量保持不變,不計空氣阻力,重力加速度大小為g。 (1)求發(fā)射裝置對粒子做的功; (2)電路中的直流電源內(nèi)阻為r,開關(guān)S接“1”位置時,進入板間的粒子落在b板上的A點,A點與過K孔豎直線的距離為l。此后將開關(guān)S接“2”位置,求阻值為R的電阻中的電流強度; (3)若選用恰當(dāng)直流電源,電路中開關(guān)S接“1”位置,使進入板間的粒子受力平衡,此時在板間某區(qū)域加上方向垂直于圖面的、磁感應(yīng)強度大小合適的勻強磁場(磁感應(yīng)強度B只能在0~Bm=范圍內(nèi)選取),使粒子恰好從b板的T孔飛出,求粒子飛出時速度方向與b板板面的夾角的所有可能值(可用反三角函數(shù)表示)。 答案　(1)　(2) (3)0<θ≤arcsin 14.(xx四川理綜,10,17分)在如圖所示的豎直平面內(nèi),水平軌道CD和傾斜軌道GH與半徑r= m的光滑圓弧軌道分別相切于D點和G點,GH與水平面的夾角θ=37。過G點、垂直于紙面的豎直平面左側(cè)有勻強磁場,磁場方向垂直于紙面向里,磁感應(yīng)強度B=1.25 T;過D點、垂直于紙面的豎直平面右側(cè)有勻強電場,電場方向水平向右,電場強度E=1104 N/C。小物體P1質(zhì)量m=210-3 kg、電荷量q=+810-6 C,受到水平向右的推力F=9.9810-3 N的作用,沿CD向右做勻速直線運動,到達D點后撤去推力。當(dāng)P1到達傾斜軌道底端G點時,不帶電的小物體P2在GH頂端靜止釋放,經(jīng)過時間t=0.1 s與P1相遇。P1和P2與軌道CD、GH間的動摩擦因數(shù)均為μ=0.5,取g=10 m/s2,sin 37=0.6,cos 37=0.8,物體電荷量保持不變,不計空氣阻力。求: (1)小物體P1在水平軌道CD上運動速度v的大小; (2)傾斜軌道GH的長度s。 答案　(1)4 m/s　(2)0.56 m 15.(xx重慶理綜,9,18分)如圖所示,在無限長的豎直邊界NS和MT間充滿勻強電場,同時該區(qū)域上、下部分分別充滿方向垂直于NSTM平面向外和向內(nèi)的勻強磁場,磁感應(yīng)強度大小分別為B和2B,KL為上下磁場的水平分界線,在NS和MT邊界上,距KL高h(yuǎn)處分別有P、Q兩點,NS和MT間距為1.8h。質(zhì)量為m、帶電量為+q的粒子從P點垂直于NS邊界射入該區(qū)域,在兩邊界之間做圓周運動,重力加速度為g。 (1)求電場強度的大小和方向。 (2)要使粒子不從NS邊界飛出,求粒子入射速度的最小值。 (3)若粒子能經(jīng)過Q點從MT邊界飛出,求粒子入射速度的所有可能值。 答案　(1),方向豎直向上　(2)(9-6) (3)如圖2所示,設(shè)粒子入射速度為v粒子,在上、下方區(qū)域的運動半徑分別為r1和r2,粒子第一次通過KL時距離K點為x。 圖2 由題意有3nx=1.8h(n=1,2,3,…) x≥ x= 得r1=(1+),n<3.5 即n=1時,v=; n=2時,v=; n=3時,v=。 16.(xx大綱全國,25,20分)如圖,在第一象限存在勻強磁場,磁感應(yīng)強度方向垂直于紙面(xy平面)向外;在第四象限存在勻強電場,方向沿x軸負(fù)向。在y軸正半軸上某點以與x軸正向平行、大小為v0的速度發(fā)射出一帶正電荷的粒子,該粒子在(d,0)點沿垂直于x軸的方向進入電場。不計重力。若該粒子離開電場時速度方向與y軸負(fù)方向的夾角為θ,求 (1)電場強度大小與磁感應(yīng)強度大小的比值; (2)該粒子在電場中運動的時間。 答案　(1)v0 tan2 θ　(2)