《存儲器技術(shù)》PPT課件.ppt

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1、存儲器 技術(shù) 第 5章 5.1 內(nèi)存儲器概述 5.1.1 內(nèi)存儲器的基本結(jié)構(gòu) 存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序 和數(shù)據(jù)。 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件 和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙 穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個 CMOS晶體管或磁性材料的 存儲元 ，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲 元組成一個 存儲單元 ，然后再由許多存儲單元組成 一個 存儲器 。 5.1.1 內(nèi)存儲器的基本結(jié)構(gòu) 5.1 內(nèi)存儲器概述 5.1.2 內(nèi)存儲器的數(shù)據(jù)組織 字節(jié)地址、字地址、大端（ Big Endian） 和小端（ Little Endian）存儲方式 、字對 齊和字不對齊。

2、例如， 32位存儲字 12345678H存放在內(nèi)存 地址為 0004中，如圖 5-2所示。 5.1 內(nèi)存儲器概述 5.1 內(nèi)存儲器概述 5.1.3 內(nèi)存儲器的主要技術(shù)指標(biāo) 存儲容量 ：指存儲器可以容納的二進制信息量 ， 以存儲器中存儲地址寄存器 MAR的編址數(shù)與存儲 字位數(shù)的乘積表示 。 一般一個半導(dǎo)體芯片有 M位 地址線 ， N位數(shù)據(jù)線 ， 則該半導(dǎo)體芯片的存儲容量 為 2M N位 。 5.1 內(nèi)存儲器概述 5.1.3 內(nèi)存儲器的主要技術(shù)指標(biāo) 存 取 速度 ： “ 存取時間 ” （ Access Time） TA： 從啟動一 次存儲器操作 ， 到完成該操作所經(jīng)歷的時間； “ 存儲周期 ” （

3、 Memory Cycle） TMC： 連續(xù)啟 動兩次獨立的存儲器操作之間的最小時間間隔 。 通常存儲周期 TMC略大于存取時間 TA。 5.1 內(nèi)存儲器概述 5.1.3 內(nèi)存儲器的主要技術(shù)指標(biāo) 存儲器帶寬 ：指單位時間里存儲器存取的 信息量 。 通常以位 /秒或字節(jié) /秒作為度量單 位 。 存儲器帶寬是衡量存儲器數(shù)據(jù)傳輸速 率的重要技術(shù)指標(biāo) 。 可靠性 ：用平均故障間隔時間 M T B F （ Mean Time Between Failures） 來衡量 。 MTBF越長 ， 可靠性越高 。 內(nèi)存儲器常采 用糾錯碼技術(shù)來延長 MTBF以提高可靠性 。 5.1 內(nèi)存儲器概述 5.1.4 內(nèi)存

4、儲器的分類 按存儲方式可分為 隨機讀寫存儲器 RAM和 只讀存 儲器 ROM。 RAM可分為 靜態(tài) RAM（ SRAM） 和 動態(tài) RAM （ DRAM） 兩種 。 ROM有 掩膜 ROM（ Masked ROM） 、 PROM （ Programmable ROM） 、 EPROM（ Erasable P r o g r a m m a b l e R O M ） 、 E E P R O M （ Electrically Erasable Programmable ROM） 和 閃速存儲器 （ Flash Memory） 等幾種 。 5.1 內(nèi)存儲器概述 5.2 RAM芯片的結(jié)構(gòu)、工作原理及

5、典型產(chǎn)品 5.2.1 RAM基本存儲元電路 基本存儲元 ：基本存儲元是組成存儲器的基礎(chǔ)和 核心，它用來存儲一位二進制信息 0或 1。 （ SRAM存儲元的電路圖 ） （ DRAM存儲元的電路圖 ） 5.2隨機存取存儲器（ RAM） 一、靜態(tài)隨機存取存儲器 （一）靜態(tài)的基本存儲電路 靜態(tài)的基本存儲電路， 是由個管組成 的觸發(fā)器 .如圖 5.5所示： 單管動態(tài)基本存儲電路 單管動態(tài)基本存儲電路如圖 5.9所示，它 1管和 寄生電容 Cs組成。 5.2.2 RAM芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 5.2 RAM芯片的結(jié)構(gòu)、工作原理及典型產(chǎn)品 2K 8位的靜態(tài) RAM芯片 A0A10 地址輸入 I/O1I/O8 數(shù)據(jù)輸

6、入 /輸出 CE 片選信號 OE 三態(tài)輸出允許信號 WE 讀寫控制： =0寫， =1讀 VCC 電源 GND 地線 Vcc 20 19 18 17 16 15 14 13 22 21 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 6116 GND 24 23 CE A8 A9 A7 A6 A5 I/O1 A4 A3 A0 A1 A2 I/O2 I/O3 I/O 5 I/O4 I/O7 I/O6 I/O8 A10 OE WE 11 12 5.2.3 RAM芯片實例 SRAM存儲器芯片 Intel6116 5.2 RAM芯片的結(jié)構(gòu)、工作原理及典型產(chǎn)品 64K 1位的動態(tài) RAM芯片 存取時間為 150

7、ns/200ns(-15,-20） 低功耗，最大 275mW 每 2ms需刷新一次，每次 512單元 A0A7 地址輸入 RAS 行地址選通信號 CAS 列地址選通信號 WE 讀寫信號： =0寫； =1讀 Vcc 16 15 14 13 1 2 3 4 5 6 7 8 12 11 2164 A6 A7 N/C DIN A5 A4 A3 A0 A1 A2 RAS WE 10 9 CAS VSS DOUT 5.2.3 RAM芯片實例 DRAM存儲芯片 Intel2164 5.2 RAM芯片的結(jié)構(gòu)、工作原理及典型產(chǎn)品 5.3.1 ROM基本存儲元電路 掩模 ROM 可編程只讀存儲器 PROM（ Pr

8、ogrammable ROM） 可擦除的 EPROM（ Erasable PROM ） 電 可擦除的 E2PROM（ Electrically Erasable PROM ） 5.3 ROM芯片的結(jié)構(gòu)、工作原理及典型產(chǎn)品 5.3.2 ROM芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 5.3 ROM芯片的結(jié)構(gòu)、工作原理及典型產(chǎn)品 4K 8位的 EPROM芯片 A0A11 地址輸入 O0O7 數(shù)據(jù)輸入 /輸出 CE 片選信號 OE/VPP 輸出允許 /編程高電壓 OE/VPP Vcc 20 19 18 17 16 15 14 13 22 21 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 2732 GND 24 23 CE A8

9、 A9 A7 A6 A5 O0 A4 A3 A0 A1 A2 O1 O2 O5 O 4 O7 O6 O3 A10 11 12 A11 5.3.3 ROM芯片實例 Intel 2732 5.3 ROM芯片的結(jié)構(gòu)、工作原理及典型產(chǎn)品 5.4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) 5.4.1 存儲器的擴展 位擴展法 ： 位擴展是指增加存儲字長（ 示例 ：由 2片 2114（ 1K 4位）芯片組成 1K 8位的存儲器 ） 字?jǐn)U展法 ：字?jǐn)U展是指增加存儲器字的數(shù)量（ 示例 ： 由 2片 1K 8位的存儲芯片組成 2K 8位的存儲器 ） 字位同時擴展法 ：字位 同時 擴展是指 既 增加存儲器字 的數(shù)量，又增加存儲字

10、長（ 示例 ：由 16片 1K 1位 的存儲芯片組成 2K 8位的存儲器 ） 5.4.2 8位微機系統(tǒng)中的存儲器接口 芯片的數(shù)據(jù)線、地址線和控制線與系統(tǒng)總線的連接 數(shù)據(jù)線 的連接 ： 芯片內(nèi)有雙向三態(tài)緩沖器 ， 芯片數(shù)據(jù)線直接和系 統(tǒng)數(shù)據(jù)總線相應(yīng)數(shù)據(jù)位掛接 。 5.4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) 5.4.2 8位微機系統(tǒng)中的存儲器接口 芯片的數(shù)據(jù)線、地址線和控制線與系統(tǒng)總線的連接 地址線 的連接： 片內(nèi)地址： 芯片內(nèi)的存儲單元尋址， 低位部分是 片內(nèi)地址，直接和存儲芯片的地址端相連 。 片選地址： 對各個存儲芯片進行選擇的地址， 高 位部分是片選地址，經(jīng)譯碼器產(chǎn)生芯片選擇信號 和各個芯片的片選

11、端相連 。 5.4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) 5.4.2 8位微機系統(tǒng)中的存儲器接口 芯片的數(shù)據(jù)線、地址線和控制線與系統(tǒng)總線的連接 控制線 的連接： M/IO RD WR MEMR MEMW 5.4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) 5.4.2 8位微機系統(tǒng)中的存儲器接口 74LS138譯碼器 V cc16 15 14 13 1 2 3 4 5 6 7 8 12 11 74L S 138 A B G ND G 1 10 9 Y 6 Y 5 Y 4 Y 3 Y 2 Y 1 Y 0 Y 7 G 2b C G 2a 5.4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) 5.4.2 8位微機系統(tǒng)中的存儲器接口 片選控制方法

12、 線選法 ：地址中的高位部分不經(jīng)譯碼，直接用 它們分別作各個芯片的片選信號。 例：用 Intel 6116形成 8KB的存儲器 地址不連續(xù) 5.4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) 5.4.2 8位微機系統(tǒng)中的存儲器接口 片選控制方法 部分譯碼法 ：對高位地址的一部分進行譯碼產(chǎn) 生片選信號。 例： 16K EPROM 2732的一種部分譯碼電路方案 地址連續(xù)但不唯一，有地址重疊現(xiàn)象 5.4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) 5.4.2 8位微機系統(tǒng)中的存儲器接口 片選控制方法 全譯碼法 ：所有高位地址參與譯碼產(chǎn)生片選信號。 例：由 4片 2732和 4片 6116組成的一種全譯碼電路 地址連續(xù)且唯一 5.

13、4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) 設(shè)有若干片 256K 8位的 SRAM芯片，問： (1) 采用字?jǐn)U展方法構(gòu)成 1024KB的存儲器需要多少片 SRAM芯片？ (2) 該存儲器需要多少位地址線？片內(nèi)地址線和片選地址線各多少位？ (3) 畫出該存儲器與 8088CPU連接的結(jié)構(gòu)圖。 解： (1) 該存儲器需要 1024K/256K = 4片 SRAM芯片； (2) 220=1024K，需要 20條地址線。 每片為一組， 22=4，需 2位片選地址， 218=256K，需 18位 片內(nèi)地址。 (3) 該存儲器與 8088CPU連接的結(jié)構(gòu)圖如下。 A B G1 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0

14、 Y7 G2b C VCC A19 GND IO/M 138 G2a A18 256K 8 OE CS WE A A17 D D7 256K 8 OE CS WE A A17 D D7 256K 8 OE CS WE A A17 D D7 256K 8 OE CS WE A A17 D D7 RD WE A A17 D D7 5.4.2 16位微機系統(tǒng)中的存儲器接口 偶存儲體 ： A0=0 A1A19尋址 512K偶地址 BHE =1 奇 存儲體 ： A0=1 A1A19尋址 512K奇地址 BHE =0 A0A19 8086 BHE D8D15 D0D7 地址 鎖存 A1A19 偶存 儲體

15、A0 奇存 儲體 BHE 5.4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) 5.4.2 16位微機系統(tǒng)中的存儲器接口 8086的存儲器訪問操作 字節(jié) 訪問： 例： MOV AL, 20H A0=0， BHE=1 偶存儲體片選有效 A19A0=20H尋址偶存儲體 經(jīng)數(shù)據(jù)線 D0D7送數(shù)據(jù)到 AL 偶存 儲體 奇存 儲體 A0 BHE D15D8 D7D0 A19A1 5.4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) 5.4.2 16位微機系統(tǒng)中的存儲器接口 8086的存儲器訪問操作 字節(jié) 訪問： 例： MOV AL, 21H A0=1， BHE=0 奇存儲體片選有效 A1A19=10H尋址奇存儲體 經(jīng)數(shù)據(jù)線 D8D15送數(shù)

16、據(jù)到 AL 偶存 儲體 奇存 儲體 A0 BHE D8D15 D0D7 A1A19 5.4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) 5.4.2 16位微機系統(tǒng)中的存儲器接口 8086的存儲器訪問操作 字 訪問： 例： MOV AX, 20H A0=0， BHE=0 奇偶存儲體片選均有效 A1A19=10H尋址奇偶存儲體 經(jīng)數(shù)據(jù)線 D0D15送數(shù)據(jù)到 AX 偶存 儲體 奇存 儲體 A0 BHE D8D15 D0D7 A1A19 5.4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) 5.4.2 16位微機系統(tǒng)中的存儲器接口 8086的存儲器訪問操作 字 訪問： 例： MOV AX, 21H 分兩個總線周期完成： A0=1， B

17、HE=0 A1A19=10H尋址奇存儲體 A0=0， BHE=1（ CPU使能地址 +1） A1A19=10H尋址偶存儲體 偶存 儲體 奇存 儲體 A0 BHE D8D15 D0D7 A1A19 5.4 半導(dǎo)體存儲器接口的基本技術(shù) Thanks！ 5.2， 5.5， 5.7， 5.9， 5.13 課后 作業(yè) 行地址選擇 列地址選擇 位線 A 位線 A 寫放大器 讀放大器 寫放大器 輸出 DOUT 寫入 DIN 寫選擇 讀選擇 VCC T1 T2 T4 T3 T 5 T6 T7 T8 讀選擇線 寫選擇線 寫數(shù)據(jù)線 讀數(shù)據(jù)線 預(yù)充電信 號 VDD T1 T2 T3 T4 CG C S T 數(shù)據(jù)線

18、字線 三管 MOS動態(tài) RAM 基本單元電路 單管 MOS動態(tài) RAM 基本單元電路 熔絲 基片 源極 - - - - - - - - 漏極 電極導(dǎo)體 浮置柵 二氧化硅 EPROM 晶體管導(dǎo)通狀態(tài) +25V 0V 擊穿電流 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + 基片 源極 - - - - - - - 漏極 電極導(dǎo)體 控制柵極 二氧化硅 2114 2114 . . . . . A 0 A9 . . . . . . . D0 D7 CS WE 1K 8位 1K 8位 . . . . . A 0 A9 . . CS0 WE 1 A

19、10 CS1 . . . . . D 0 D7 . . D0 D7 I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O 1024 1 WE CS A0 A9 I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O 1024 1 WE CS A0 A9 A10 M/IO RD WR A0 A10 D0D 7 D0D 7 A12 A11 A13 A14 8086 A0 A10 A0 A10 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 A0 A10 A0 A10 D0D 7 D0D 7 D0D 7 D0D 7 1

20、 2 3 4 M/IO RD WR A0 A10 D0D 7 D0D 7 A12 A11 A13 A14 8086 A0 A10 A0 A10 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 A0 A10 A0 A10 D0D 7 D0D 7 D0D 7 D0D 7 1 2 3 4 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A14 A13 A12 A11 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 7 0 0 0 H 7 7 F

21、F H 1 M/IO RD WR A0 A10 D0D 7 D0D 7 A12 A11 A13 A14 8086 A0 A10 A0 A10 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 A0 A10 A0 A10 D0D 7 D0D 7 D0D 7 D0D 7 1 2 3 4 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A14 A13 A12 A11 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 6 8 0 0 H 6 F F F

22、 H 2 M/IO RD WR A0 A10 D0D 7 D0D 7 A12 A11 A13 A14 8086 A0 A10 A0 A10 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 A0 A10 A0 A10 D0D 7 D0D 7 D0D 7 D0D 7 1 2 3 4 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A14 A13 A12 A11 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 5 8 0 0 H 5 F F F

23、H 3 M/IO RD WR A0 A10 D0D 7 D0D 7 A12 A11 A13 A14 8086 A0 A10 A0 A10 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 A0 A10 A0 A10 D0D 7 D0D 7 D0D 7 D0D 7 1 2 3 4 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A14 A13 A12 A11 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 3 8 0 0 H 3 F F F H

24、 4 在采用部分譯 碼的存儲器中 ， 存儲地址通常 取未用高位地 址的值為全 0， 這樣確定的地 址叫 基本地址 。 A15 A16 A14 A13 A12 IO/M A B G1 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 Y7 G2b G2a C 138 RD A A11 D D7 CS OE 2732 CS OE 2732 CS OE 2732 CS OE 2732 4 3 2 1 1 地址范圍 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A16 A15 A14 A13 A12 A11 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1

25、1 1 1 0 0 0 0 0 10 0 0 0 H 10 F F FH 1 0 0 0 0 1 C B A A15 A16 A14 A13 A12 IO/M A B G1 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 Y7 G2b G2a C 138 RD A A11 D D7 CS OE 2732 CS OE 2732 CS OE 2732 CS OE 2732 4 3 2 1 2 地址范圍 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A16 A15 A14 A13 A12 A11 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

26、1 0 0 0 1 0 11 0 0 0 H 11 F F FH 1 0 0 0 1 1 C B A A15 A16 A14 A13 A12 IO/M A B G1 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 Y7 G2b G2a C 138 RD A A11 D D7 CS OE 2732 CS OE 2732 CS OE 2732 CS OE 2732 4 3 2 1 3 地址范圍 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A16 A15 A14 A13 A12 A11 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0

27、0 1 0 0 12 0 0 0 H 12 F F FH 1 0 0 1 0 1 C B A A15 A16 A14 A13 A12 IO/M A B G1 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 Y7 G2b G2a C 138 RD A A11 D D7 CS OE 2732 CS OE 2732 CS OE 2732 CS OE 2732 4 3 2 1 4 地址范圍 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A16 A15 A14 A13 A12 A11 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1

28、1 0 13 0 0 0 H 13 F F FH 1 0 0 1 1 1 C B A A11 A16 A17 A18 A19 CS OE 2732 CS OE 2732 OE 2732 CS OE 2732 CS 6116 OE WE CS 6116 OE WE CS 6116 OE WE CS 6116 OE WE 2 3 4 1 2 3 4 RD A A11 D D7 CS 1 A12 WE IO/M A B G2b G2a C A14 A13 G1 138 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 Y7 A15 試分析各芯片的地址范圍，并說明地址是否唯一？ 例 ： 設(shè)有 4K 4位 SR

29、AM芯片及 8K 8EPROM芯片 ， 欲與 8088CPU組 成 16K 8 的存儲 器 ， 請問需用此 SRAM及 EPROM 多少片 ？ 它們的片內(nèi)地址線及片選地址線 分別是幾 根 ？ 若該 16K 8存儲 器地址 空間連續(xù) ， 且 末 地址為 FFFFFH， 請 分別 畫出 SRAM、 EPROM與 8088CPU的連線 ， 并寫出各芯片的地址域 。 SRAM片內(nèi)地址線 ： 212=4K，地址線為 A0A11 用 138譯碼器 ， 片內(nèi)地址應(yīng)為 A0A11，所有高位作片選地址。 組數(shù)為 16K 4K=4組 ， 每組片數(shù) 8 4=2片 ，共 4 2 8片。 SRAM芯片的地址域： 第 1

30、組 : FC000HFCFFFH SRAM地址 : 第 2組 : FD000HFDFFFH 第 3 組 : FE000HFEFFFH 第 4組 : FF000HFFFFFH EPROM片內(nèi)地址線 ： 213=8K，地址線為 A0A12 用 138譯碼器 ， 片內(nèi)地址應(yīng)為 A0A12，所有高位作片選地址。 組數(shù)為 16K 8K=2組，每組片數(shù) 8 8=1片 ，共 2 1 2片 EPROM芯片的地址域： 例 ： 設(shè)有 4K 4位 SRAM芯片及 8K 8EPROM芯片 ， 欲與 8088CPU組 成 16K 8 的存儲 器 ， 請問需用此 SRAM及 EPROM 多少片 ？ 它們的片內(nèi)地址線及片選

31、地址線 分別是幾 根 ？ 若該 16K 8存儲 器地址 空間連續(xù) ， 且 末 地址為 FFFFFH， 請 分別 畫出 SRAM、 EPROM與 8088CPU的連線 ， 并寫出各芯片的地址域 。 第 1組 ： FC000HFDFFFH ROM地址 : 第 2組 ： FE000HFFFFFH RD D D7 CS 4 OE WE CS 3 OE WE CS 2 OE WE CS 1 OE WE A A11 WE A12 A B G1 G2b G2a C A14 A13 A15 A16 A17 A18 A19 138 IO/M Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 Y0 SRAM連接圖 0 0

32、 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 FC000 H Y 4 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 FCFFFH 第 1片 4K A11A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A19A18 A17A16 A15 A14 A13 A12 C B A 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 FD000 H Y 5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 FDFFFH 第 2片 4K 0 0 0 0 0 0 0 0

33、0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 FE000 H Y 6 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 FEFFFH 第 3片 4K 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 FF000 H Y 7 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 FFFFFH 第 4片 4K 第 1組 : FC000HFCFFFH SRAM地址 : 第 2組 : FD000HFDFFFH 第 3 組 : FE000HFEFFFH 第 4組 : FF000HFFFFFH RD D D7 CS 2

34、 OE CS 1 OE A A12 A13 A B G1 G2b G2a C A15 A14 A16 A17 A18 A19 138 IO/M Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 Y0 EPROM連接圖 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 FC000 H Y 6 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 FDFFFH 第 1片 8K A11A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A19A18 A17A16 A15 A14 A13 A12 C B A 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 FE000 H Y 7 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 FFFFFH 第 2片 8K 第 1組 : FC000HFDFFFH ROM地址 : 第 2組 :FE000HFFFFFH