SDRAM 設(shè)備操作

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1、SDRAM設(shè)備操作 1.上電時(shí)序 SDRAM在上電時(shí)必須正確初始化，時(shí)序如下： 1.加電和時(shí)鐘開始，在輸入端保持NOP狀態(tài)； 2?保持穩(wěn)定的供電、時(shí)鐘和NOP狀態(tài)最少200us； 3. 對所有BANK執(zhí)行預(yù)充命令； 4. 執(zhí)行8個(gè)或更多個(gè)自動(dòng)刷新命令； 5. 執(zhí)行模式設(shè)置命令以初始化模式寄存器。 2.模式寄存器設(shè)置 tRP SDRAM有一個(gè)片上模式寄存器，用戶可以對其進(jìn)行編程，選擇讀/寫DRAM期間的讀延遲、突發(fā)長度和突發(fā)類型。在上電時(shí)序后，必須執(zhí)行MRS命令以初始化設(shè)備。寫數(shù)據(jù)到模式寄存器需要兩個(gè)時(shí)鐘周期，在MRS命令期間，其他命令無法執(zhí)行。 tMF?

2、 CLK Cn-nr-fltI IH} I'IHG- Note:1.Allb日nksshouldbeprechangestatet:excuteMRScommand BurstType￥ A9 WriteMode 0 3.i匚aiJDlil-L'A'i- 1 LlilLulk.CllUdhll* OPCode A3 Bnjr§tT爐巳 i. EWcpentiN 1 [nterleave A6ASA4 CASL自t色“吋 r.r- r^-cr'xcd crI r^vr'/cd ci- C11 1i: F.U-cr

3、taJ 1L1 F.sitrvtd 11: Reaa-|/ed 111 Reserved CASLatency A2AlAO BuratLength 於=D A3=l CJc 1 1 001 2 2 i.Li. 4 斗 11 S s 10匚I Reserved Reserved 101 keserkied Reserved 110 keserved Reserved 111 Fullpage Reserv&d BurstLength ModeRegister BA1 BA0 A12 All AID A

4、9 A8 A7 A6 AS A4 A3 A2 Al AO 1 a II a 0 O:,：r-k □ a CASLatency BT BuratLength 3.行有效 使用BANK激活命令可以激活SDRAM空閑BANK的任意行。在行有效最少tRCD時(shí)間延遲后突發(fā)讀/寫命令可以執(zhí)行。激活另一BANK需要最少tRRD個(gè)延遲。已經(jīng)處于激活狀態(tài)的BANK不能再給予行有效命令，同樣，當(dāng)SDRAM正處于掉電、自刷新、自動(dòng)刷新或時(shí)鐘掛起狀態(tài)時(shí)也不能給予行有效命令。 4. 讀BANK 該命令用于對有效行的突發(fā)讀。第一個(gè)有效數(shù)據(jù)出現(xiàn)在CAS#時(shí)鐘延時(shí)后，CL只在讀

5、取時(shí)出現(xiàn)。 5. 寫B(tài)ANK 第一個(gè)有效數(shù)據(jù)可以與寫命令和列地址同時(shí)輸入，不受CAS#的影響。 ROWACTIVE,READANDWRITE CLK l=!RD* ru ru n_ ru ru rL_ru 1RCD? TJ ra呂 L罕ru h ru Address： ■卄 V/■ 1Xc. n|I M77 "■ ■二 Command tKI ■I、 K-j' H畀 Ad

6、d Ban E i-0 ReaBanI a： 卜HF 乍 k1 Wr ikl Cj —XQ iKQi 21 —Le lJLe lJLe LJLE3J— BLM,CL=3andiRCD=3 6. 預(yù)充(PRECHARGE) 預(yù)充命令用于釋放已打開的行貨打開新的行。預(yù)充可以通過命令實(shí)現(xiàn)，也可以通過具有預(yù)充功能的讀/寫命令實(shí)現(xiàn)，即讀/寫操作后自動(dòng)預(yù)充電。在發(fā)出預(yù)充命令后，要經(jīng)過tRP個(gè)時(shí)鐘發(fā)送行有效命令，如果超過這個(gè)延遲了，那么BANK會(huì)進(jìn)入Idle狀態(tài)。 執(zhí)行讀命令、寫命令和預(yù)充命令時(shí)，

7、A10決定預(yù)充模式。在執(zhí)行預(yù)充命令時(shí)，如果A10為高電平，則對所有BANK執(zhí)行預(yù)充，如果A10為低電平，則只對由BA1/BA0指定的存儲(chǔ)體進(jìn)行預(yù)充。在執(zhí)行讀/寫命令時(shí)，如果A10為高電平，則讀/寫操作后進(jìn)行自動(dòng)預(yù)充，如果A10為低電平，則讀/寫后不進(jìn)行預(yù)充操作。 7. 刷新(REFRESH) SDRSDRAM需要每64ms對所有行刷新一次，以保持存儲(chǔ)體中的數(shù)據(jù)。刷新方式分兩種：自動(dòng)刷新(AutoRefresh)和自刷新(SelfRefresh)。自動(dòng)刷新用于正常操作模式，在自動(dòng)刷新時(shí)，其他命令無法操作。而自刷新主要用于低功耗狀態(tài)下的數(shù)據(jù)保存。 AlteraSDRSDRAM控制器 Alt

8、era公司提供了一個(gè)符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SDRSDRAM簡單控制接口，該控制器由VHDL實(shí)現(xiàn)。SDRSDRAM控制器系統(tǒng)框圖如下圖所示。 CLK CMD[1:0] CMDACK ADDR DATAIN DM DATAOUT CLK. K CSN SDRSDRAM Controller RASN CAS_N WE_N. DQM SDRSDRAM SDRAM總線命令: 命令 縮寫 RAS# CAS# WE# 無操作 NOP H H H 激活A(yù)ctive ACT L H H 讀操作Read RD H L

9、 H 寫操作Write WR H L L 突發(fā)終止BurstTerminate BT H H L 預(yù)充電Percharge PCH L H L 自動(dòng)刷新AutoRefresh ARF L L H 裝入模式寄存器LoadMode LMR L L L SDRAM存儲(chǔ)體在進(jìn)行讀/寫操作前必須打開，行地址和體的打開使用命令A(yù)CT。當(dāng)對某個(gè)存儲(chǔ)體進(jìn)行讀/寫操作時(shí)，如果行地址和當(dāng)前行地址不同，則需要先關(guān)閉存儲(chǔ)體，然后再打開它，關(guān)閉存儲(chǔ)體使用命令PCH。 SDRAM控制器命令接口 SDRAM控制器提供了一個(gè)和SDRAM之間的同步命令接口，以及幾個(gè)命

10、令寄存器。 命令 值 描述 NOP 000b 空操作 READA 001b 帶自動(dòng)預(yù)充SDRAM讀操作 WRITEA 010b 帶自動(dòng)預(yù)充SDRAM寫操作 REFRESH 011b SDRAM自動(dòng)刷新 PERCHARGE 100b 對SDRAM所有存儲(chǔ)體預(yù)充電 LOADMODE 101b SDRAM模式寄存器裝入 LOADREG1 110b 裝入控制器配置寄存器 LOADREG2 111b 裝入控制器刷新周期寄存器 讀命令（READA）:該命令指示SDRAM控制器執(zhí)行帶有自動(dòng)預(yù)充的突發(fā)讀命令，讀地址由ADDR決定，SDRAM控制器會(huì)先

11、發(fā)一個(gè)ACTIVATEE命令，然后是READA命令。突發(fā)讀的首個(gè)數(shù)據(jù)在SDRAM控制器發(fā)出CMDACK后出現(xiàn)在DATAOUT上（RCD+CL+2）,讀期間DM應(yīng)保持為低。當(dāng)控制器配置為滿頁操作時(shí)，READA執(zhí)行為不帶自動(dòng)預(yù)充突發(fā)讀命令。命令順序: ?發(fā)出READA、ADDR、DM； ? SDRAM控制器發(fā)出CMDACK響應(yīng)命令，同時(shí)向SDRAM器件發(fā)出命令； ?在CMDACK后的一個(gè)時(shí)鐘周期，發(fā)出NOP命令； ? CMDACK表示第一個(gè)突發(fā)讀數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DATAOUT上,以后每個(gè)數(shù)據(jù)隨時(shí)鐘輸出。 寫命令（WRITEA）：該命令指示SDRAM控制器執(zhí)行帶有自動(dòng)預(yù)充的突發(fā)寫命令，寫

12、地址由ADDR決定?？刂破鹘邮盏矫詈髸?huì)先發(fā)送一個(gè)ACTIVATE命令，然后發(fā)出WRITEA。突發(fā)寫的首個(gè)數(shù)據(jù)必須同WRITEA、ADDR同時(shí)出現(xiàn),在控制器響應(yīng)WRITEA命令*RCD-2'個(gè)時(shí)鐘周期后，主機(jī)發(fā)送數(shù)據(jù)、DM值到控制器。當(dāng)WRITEA處于滿頁操作模式時(shí)，無自動(dòng)預(yù)充功能。命令順序： ? 發(fā)出WRITEA、ADDR、第一個(gè)數(shù)據(jù)和DM； ? SDRAM控制器發(fā)出CMDACK響應(yīng)命令，同時(shí)向SDRAM器件發(fā)出命令； ?在CMDACK后的一個(gè)時(shí)鐘周期，發(fā)出NOP命令； ?按照時(shí)鐘將數(shù)據(jù)和DM送到控制器。 r；gu：-93.加護(hù)e CLKj Aj I A

13、j AJ Aj AJ 屯 CKE CMD1 JCP :- ■im TEA. NOP CMDACK 廠 AJXF Dr：

14、 K D.G DATAIN DC. ：= h y3 ；: EiQ DM DC K I 1 K V )! EiC

15、 SA \A 0 >lumn BA j Q5_N

16、 K Fl^5_N - \~ L HEJJ r □Ohl

17、 1 J JL )； 1 11 仁 \3 b YF Ie b ■jft A DQ i!lE A /— D.C.=DuritCare 刷新命令(REFRESH)：'REFRESH'通知控制器執(zhí)行'ARF'命令，命令流程: ? 用戶在CMD上發(fā)出REFRESH命令；

18、 ? SDRAM控制器發(fā)出CMDACK響應(yīng)命令，同時(shí)向SDRAM器件發(fā)出命令;?用戶在CMD上發(fā)出NOP命令。 預(yù)充電命令(PERCHARGE)：該命令用于通知SDRAM控制器執(zhí)行“PCH”命令，控制器以'CMDACK'應(yīng)答該命令，該命令也用來停止突發(fā)操作，但僅支持滿頁操作。注意：控制器在主機(jī)發(fā)送命令到控制器和控制器發(fā)送命令到SDRAM設(shè)備之間附加了4個(gè)時(shí)鐘的延遲。如需要停止突發(fā)讀操作，則應(yīng)在希望停止的前(4+CL-1)個(gè)時(shí)鐘發(fā)出預(yù)充命令。命令流程： ? 用戶在CMD上發(fā)出PERCHARGE命令； ? SDRAM控制器發(fā)出CMDACK響應(yīng)命令，同時(shí)向SDRAM器件發(fā)出命令； ?用戶在

19、CMD上發(fā)出NOP命令。 模式裝入命令(LOAD_MODE)：該命令通知控制器執(zhí)行'LMR'命令，在LOAD_MODE命令發(fā)出時(shí)，ADDR[11:0]上表示模式的值將裝入SDRAM模式寄存器中。命令流程： ? 用戶在CMD上發(fā)出LOAD_MODE命令，模式值在ADDR[11:0]上; ? SDRAM控制器發(fā)出CMDACK響應(yīng)命令，同時(shí)向SDRAM器件發(fā)出命令； ?用戶在CMD上發(fā)出NOP命令。 寄存器1裝入(LOAD_REG1)：該命令通知控制器裝入內(nèi)部配置寄存器1 REG1位定義： Lable ADDR位 描述 CL [1:0] CAS延遲設(shè)置 RCD [3:

20、2] RAS到CAS之間延遲時(shí)鐘數(shù) RRD [7:4] 刷新命令持續(xù)時(shí)鐘數(shù) PM [8] SDRAM控制器模式：0--普通，1--頁模式 BL [12:9] 突發(fā)長度，有效值為：1、2、4、8 其中，RCD=tRCD/clock_period RRD=tRRD/clock_period BL：0000-頁，0001-長度為1,0010-長度為2,0100-長度為4,1000-長度為8 寄存器2裝入(LOAD_REG2)：該命令通知控制器裝入內(nèi)部配置寄存器2,該寄存器表示了REFRESH的周期間隔。例如：SDRAM器件具有64ms、4096周期的刷新要求，貝I」：

21、SDRAM至少需要每64ms/4096=15.625us發(fā)送一次刷新命令。如果SDRAM的工作時(shí)鐘為100MHz,則REG2的最大值為15.625us/0.01us=1562。 SDRAM設(shè)備初始化和SDRAM控制器配置 連接到控制器的SDRAM器件在使用前應(yīng)該先進(jìn)行初始化，初始化過程設(shè)置突發(fā)長度、CAS延遲、突發(fā)類型、操作模式。在SDRAM器件初始化結(jié)束后,SDRAM控制器的配置寄存器必須設(shè)置，SDRAM器件初始化和SDRAM控制器配置步驟如下： ? 執(zhí)行預(yù)充(PERCHARGE)命令 ?執(zhí)行LOAD_MODE命令 ? 執(zhí)行LOAD_REG2命令 ? 執(zhí)行LOAD_REG1命令

22、 SDRSDRAM主機(jī)接口 SDRAM控制器IP核提供了對SDRAM器件的控制接口，但是要使用該IP核，還需要設(shè)計(jì)一個(gè)SDR主機(jī)接口，該接口可以與SDRAM控制器相連，實(shí)現(xiàn)對控制器的初始化、讀、寫等操作，而對外部提供通用的系統(tǒng)總線接口，方便單片機(jī)等控制器能使用SDRAM作為外部存儲(chǔ)器。 外部總線 從結(jié)構(gòu)框圖上看，設(shè)計(jì)一個(gè)方便易用的SDRSDRAM主機(jī)接口是用好SDRAM的關(guān)鍵,那么這個(gè)SDRSDRAM主機(jī)接口應(yīng)該具有哪些功能呢？ 在波形分析儀采集板上，系統(tǒng)時(shí)鐘為100MHz,FPGA與SDRAM之間也是100MHz同步，對于32位數(shù)據(jù)總線來說，在最高400MHz采樣時(shí)鐘下，可以

23、實(shí)現(xiàn)單通道高深度采樣。SDRAM才工作中，會(huì)有刷新等可能產(chǎn)生的額外時(shí)鐘，為保證采樣的數(shù)據(jù)不丟失，應(yīng)該在外部總線與SDRAM設(shè)備之間加緩沖——FIFO。另，SDRAM的讀寫方式，可以采用突發(fā)頁模式。 實(shí)驗(yàn)1,編寫SDRSDRAM主機(jī)接口邏輯，通過IP核對SDRAM（HY57V641620-H）器件進(jìn)行讀寫。 實(shí)驗(yàn)方法，突發(fā)寫：接收到寫命令（外部按鍵）后，將數(shù)據(jù)寫入SDRAM中，突發(fā)長度為8；突發(fā)讀：接收到讀命令（外部按鍵）后，從SDRAM中讀出數(shù)據(jù)，通過程序控制將需要的數(shù)據(jù)通過LED燈顯示出來，觀看結(jié)果。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果，突發(fā)寫1~8共8個(gè)數(shù)據(jù)到SDRAM地址0x0中，然后讀出，讀出數(shù)據(jù)為1/2

24、/3/4/5/6/7/7，最后一個(gè)數(shù)據(jù)有問題。 初始化 寫數(shù)據(jù)讀數(shù)據(jù) 實(shí)驗(yàn)2：頁突發(fā)讀寫模式 將0?255共256個(gè)數(shù)采用頁突發(fā)方式寫入SDRAM中，然后讀出求其累計(jì)和，觀察實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象，通過結(jié)果判斷讀寫是否正確。 頁突發(fā)寫流程:WRITEA（ADDR/DM/DATA）—響應(yīng)CMDACK—寫數(shù)據(jù)一PERCHARGE命令（在最后一個(gè)數(shù)據(jù)出現(xiàn)的前3個(gè)時(shí)鐘發(fā)出，結(jié)束頁突發(fā)）一PERCHARGE-NOP（4個(gè)時(shí)鐘后）一發(fā)送第二個(gè)PERCHARGE（關(guān)閉當(dāng)前行）一響應(yīng)其CMDACK—返回IDLE狀態(tài)。 頁突發(fā)讀流程：READA（ADDR/DM）—響應(yīng)CMDACK—等待tRCD+CL+2個(gè)時(shí)鐘讀取第一個(gè)數(shù)一執(zhí)行PERCHARGE（讀取的最后一個(gè)數(shù)據(jù)出現(xiàn)前的CL-1+7個(gè)時(shí)鐘發(fā)出，用于結(jié)束頁突發(fā)）一PERCHARGE-NOP（4個(gè)時(shí)鐘后發(fā)出）一執(zhí)行PERCHARGE（關(guān)閉當(dāng)前行）一響應(yīng)其命令CMDACK—返回IDLE狀態(tài)。