高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)考點(diǎn)專項(xiàng)突破練習(xí)： 專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 6含解析

2020屆高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)考點(diǎn)專項(xiàng)突破練習(xí)專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（6）1、化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 根據(jù)物質(zhì)結(jié)構(gòu)有關(guān)性質(zhì)和特點(diǎn)，回答下列問題：(1)Ti基態(tài)原子核外電子排布式為 _基態(tài)鋁原子核外電子云形狀有_（填名稱）。(2)丙烯腈（CH2=CH-CN）分子中鍵和鍵的個(gè)數(shù)比為_,分子中碳原子軌道的雜化類型是_。(3)寫出與互為等電子體的一種分子和一種離子的化學(xué)式_、_。(4)鈦存在兩種同素異構(gòu)體，采納六方最密堆積，采納體心立方堆積，鑒別兩種鈦晶體可以用_法，由轉(zhuǎn)變?yōu)榫w體積_（填“膨脹”或“收縮”）。(5)處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用_形象化描述。(6)Cu與O元素形成的某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞中氧原子的配位數(shù)為_，若阿伏伽德羅常數(shù)為NA，晶胞的邊長為a pm,該晶體的密度為_g·cm-32、已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)依次遞增。B的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道,且每種軌道中的電子總數(shù)相同。D原子最外層電子數(shù)為次外層電子數(shù)的3倍。E與D位于同一主族。A、B、D三種元素組成的一種化合物X是新裝修居室中常含有的一種有害氣體。由A、C、D、E、F五種元素按照原子個(gè)數(shù)比為144511形成的化合物Y為深藍(lán)色晶體?；卮鹣铝袉栴}:1.基態(tài)E原子的價(jià)電子排布圖為。2.形成化合物Y的五種元素中第一電離能最大的是_;電負(fù)性最大的是_(填元素符號)。3.化合物X中心原子的雜化方式為_,X分子中的兩種鍵角的大小關(guān)系是_(用表示,X、Y、Z代表元素符號)。4.分子的立體結(jié)構(gòu)為_;A分別與B、C形成的簡單化合物熔、沸點(diǎn)由高到低順序?yàn)開(用化學(xué)式表示),簡單說明原因_。5.晶體Y中存在的化學(xué)鍵類型有_。(填代號)A.離子鍵 B.非極性共價(jià)鍵 C.配位鍵 D.氫鍵 E.鍵 F.金屬鍵6.下圖是D、F兩種元素形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖,F的配位數(shù)是;已知晶胞中最近的兩個(gè)D原子間距離為a nm,阿伏伽德羅常數(shù)用表示,則該晶體的密度為(用含、的表達(dá)式表示)。3、由P、S、C等元素組成的新型材料有著廣泛的用途，回答下列問題。（1）基態(tài)Cl原子核外電子排布式為 ,P、S、Cl的第一電離能由大到小順序?yàn)?.（2）分子中的中心原子雜化軌道類型是 ,該分子構(gòu)型為 .（3）Ni與CO能形成配合物，該分子中配位鍵個(gè)數(shù)為 ；以“”表示鍵、“”表示配位鍵，該分子空間結(jié)構(gòu)示意圖可以畫為 。（4）已知MgO與NiO的晶體結(jié)構(gòu)（如圖1）相同，其中和的離子半徑分別為66pm和69pm則熔點(diǎn):MgO NiO（填“”、“”或“”），理由是 。（5）若NiO晶胞中離子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0），B為1，1，0），則C離子坐標(biāo)參數(shù)為 。（6）一定溫度下，NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”如圖2，可以認(rèn)為作密置單層排列，填充其中，已知的半徑為a m，每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為 g.（用a、表示）4、已知X、Y、Z、R都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次增大。X是空氣中含量最高的元素，Z基態(tài)原子核外K、L、M三層電子數(shù)之比為142，R基態(tài)原子的3d原子軌道上的電子數(shù)是4s原子軌道上的4倍，Y基態(tài)原子的最外層電子數(shù)等于Z、R基態(tài)原子的最外層電子數(shù)之和。(答題時(shí)，X、Y、Z、R用所對應(yīng)的元素符號表示)1.X、Y、Z的第一電離能由小到大的順序?yàn)開，寫出一種與互為等電子體的分子的化學(xué)式：_。2.R3基態(tài)核外電子排布式為_。3.化合物Z3X4熔點(diǎn)高達(dá)1900以上，硬度很大。該物質(zhì)的晶體類型是_。4.Y、Z形成的某晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則該化合物的化學(xué)式為_。5.R2與過量的氨水形成的配離子的化學(xué)式為R(NH3)62，1mol R(NH3)62中含有鍵的數(shù)目為_。5、鈷及其化合物在生產(chǎn)生活中有廣泛應(yīng)用。回答下列問題：1.基態(tài)鈷原子價(jià)電子排布式為_。2.Co3+在水中易被還原成Co2+，而在氨水中可穩(wěn)定存在，其原因?yàn)開。3.中Co2+的配位數(shù)為8，配體中N的雜化方式為_，該配離子中各元素I1由小到大的順序?yàn)開(填元素符號)，1mol該配離子中含鍵數(shù)目為_NA。4.八面體配合物CoCl3·3NH3結(jié)構(gòu)有_種，其中極性分子有_種。5.配合物Co2(CO)8的結(jié)構(gòu)如下圖，該配合物中存在的作用力類型有_(填標(biāo)號)。A.金屬鍵 B.離子鍵 C.共價(jià)鍵 D.配位鍵 E.氫鍵 F.范德華力6.鈷藍(lán)晶體結(jié)構(gòu)如下圖，該立方晶胞由4個(gè)I型和4個(gè)型小立方體構(gòu)成，其化學(xué)式為_，晶體中Al3+占據(jù)O2形成的_(填“四面體空隙”或“八面體空隙”)。NA為阿伏伽德羅常數(shù)的值，鈷藍(lán)晶體的密度為_g·cm3(列計(jì)算式)。 答案以及解析1答案及解析：答案：(1)1s22s22p63s23p63d24s2或Ar3d24s2;球形、啞鈴形;(2)2:1;sp2、sp;(3)CH4、SiH4、GeH4; 、;(4)X-射線衍射; 膨脹; (5)電子云; (6)4; ;解析： 2答案及解析：答案：1.2.N;O;3.雜化;大于4.直線形;分子間存在氫鍵5.ACE;6.2;解析：(1)基態(tài)S原子的價(jià)電子排布式為,其價(jià)電子排布圖為(2)由于氮原子的2p軌道處于半充滿狀態(tài)，穩(wěn)定性較強(qiáng)，則形成化合物Y的五種元素中第一電離能最大的是N;元素的非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，則電負(fù)性最大的是O。(3)HCHO是平面形結(jié)構(gòu)，中心碳原子形成3個(gè)鍵，無孤對電子，采取雜化,HCHO分子中由于氧原子上有2對未成鍵的孤對電子,且存在C=O鍵，均對C-H鍵形成較大的斥力，故HCHO分子中的兩種鍵角的大小關(guān)系是大于。(4)和互為等電子體，具有相似的化學(xué)鍵特征，則的立體結(jié)構(gòu)為直線形；由于分子間存在氫鍵，所以沸點(diǎn):。(5)晶體Y的化學(xué)式為,其中存在的化學(xué)鍵類型有離子鍵、配位鍵、鍵，A、C、E正確。(6)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知Cu的配位數(shù)是2;晶胞中含O原子個(gè)數(shù)為,含4個(gè)Cu原子，故晶胞質(zhì)量為，已知晶胞中最近的兩個(gè)O原子間距離為anm，則晶胞的體對角線長是2anm，晶胞的邊長是，體積，則該晶體的密度。 3答案及解析：答案:（1） （2） V形（3）8 （4） 半徑比小，MgO的晶格能比NiO大（5）（1，1/2，1/2）（6）解析:（1）Cl原子序數(shù)為17，基態(tài)Cl原子核外電子排布式為；同周期元素從左到右第一電離能有增大的趨勢，P元素原子3p能級處于半充滿狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素，故P、S、Cl的第一電離能由大到小順序?yàn)?ClPS（2）分子中S原子雜化軌道數(shù)為:，采取雜化方式，有兩對孤電子對，該分子構(gòu)型為V形。（3）CO中有1個(gè)配位鍵，Ni與CO形成配合物，Ni和CO之間存在配位鍵，所以中配位鍵個(gè)數(shù)為:1×448；以“”表示鍵、“”表示配位鍵，該分子空間結(jié)構(gòu)示意圖可以畫為:（4）晶體結(jié)構(gòu)相同時(shí)，離子半徑越小離子鍵強(qiáng)度越大，比半徑小，MgO的晶格能比NiO大，所以熔點(diǎn)MgoniO（5）NiO晶胞中離子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0），B為（1，10），晶胞是邊長為1的正方體，C在右側(cè)面心處，根據(jù)立體幾何知識，則C離子坐標(biāo)參數(shù)為（1，,）（6）如圖: 單分子層重復(fù) 4答案及解析：答案：1.； CCl4或SiF42.Ar3d7(或1s22s22p63s23p63d7)3.原子晶體4.SiO25.24mol解析： 5答案及解析：答案：1.3d74s22. 可與形成較穩(wěn)定的配合物3.sp2;Co、O、N;204.2;25.ACDF6.CoAl2O4;八面體空隙；解析：