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2018年數(shù)字電路試題答案

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2018年數(shù)字電路試題答案

2018 年數(shù)字電路試題答案一、填空題:(每空 1 分,共 16 分)1邏輯函數(shù)有四種表示方法,它們分別是( )、( )、( )和( )。2將 2004 個(gè)“1”異或起來得到的結(jié)果是( )。3目前我們所學(xué)的雙極型集成電路和單極型集成電路的典型電路分別是( )電路和( )電路。4施密特觸發(fā)器有( )個(gè)穩(wěn)定狀態(tài).,多諧振蕩器有( )個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。5已知 Intel2114 是 1K* 4 位的 RAM 集成電路芯片,它有地址線( )條,數(shù)據(jù)線( )條。6已知被轉(zhuǎn)換的信號的上限截止頻率為 10kHz,則 A/D 轉(zhuǎn)換器的采樣頻率應(yīng)高于( )kHz;完成一次轉(zhuǎn)換所用的時(shí)間應(yīng)小于( )。7GAL 器件的全稱是( ),與 PAL 相比,它的輸出電路是通過編程設(shè)定其( )的工作模式來實(shí)現(xiàn)的,而且由于采用了( )的工藝結(jié)構(gòu),可以重復(fù)編程,使用更為方便靈活。二、根據(jù)要求作題:(共 16 分)1 試畫出用反相器和集電極開路與非門實(shí)現(xiàn)邏輯函數(shù)。2、圖 1、2 中電路由 TTL 門電路構(gòu)成,圖 3 由 CMOS 門電路構(gòu)成,試分別寫出 F1、F2、F3 的表達(dá)式。三、已知電路及輸入波形如圖 4(a)(b)所示,其中 FF1 是 D 鎖存器,F(xiàn)F2 是維持-阻塞 D 觸發(fā)器,根據(jù) CP 和 D 的輸入波形畫出 Q1 和 Q2 的輸出波形。設(shè)觸發(fā)器的初始狀態(tài)均為 0。 (8 分)四、分析圖 5 所示電路,寫出 Z1、Z2 的邏輯表達(dá)式,列出真值表,說明電路的邏輯功能。 (10 分)五、設(shè)計(jì)一位 8421BCD 碼的判奇電路,當(dāng)輸入碼為奇數(shù)時(shí),輸出為 1,否則為 0。要求使用兩種方法實(shí)現(xiàn):(1)用最簡與非門實(shí)現(xiàn),畫出邏輯電路圖;(2)用一片 8 選 1 數(shù)據(jù)選擇器 74LS151 加若干門電路實(shí)現(xiàn),畫出電路圖。(20 分)六、電路如圖 7 所示,其中 RA=RB=10k,C=0.1f,試問:1在 Uk 為高電平期間,由 555 定時(shí)器構(gòu)成的是什么電路,其輸出 U0 的頻率 f0=?2分析由 JK 觸發(fā)器 FF1、FF2、FF3 構(gòu)成的計(jì)數(shù)器電路,要求:寫出驅(qū)動方程和狀態(tài)方程,畫出完整的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖;2 設(shè) Q3、Q2、Q1 的初態(tài)為 000,Uk 所加正脈沖的寬度為 Tw=5/f0,脈沖過后 Q3、Q2、Q1 將保持在哪個(gè)狀態(tài)?(共 15 分)七、集成 4 位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器 74161 的連接圖如圖 8 所示,LD 是預(yù)置控制端;D0、D1、D2、D3 是預(yù)置數(shù)據(jù)輸入端;Q3、Q2、Q1、Q0 是觸發(fā)器的輸出端,Q0 是最低位,Q3 是最高位;LD 為低電平時(shí)電路開始置數(shù),LD 為高電平時(shí)電路計(jì)數(shù)。試分析電路的功能。要求:(1)列出狀態(tài)轉(zhuǎn)換表;(2)檢驗(yàn)自啟動能力;(3)說明計(jì)數(shù)模值。 (15 分)數(shù)字電路試題答案一、填空(每空 1 分,共 16 分)1 真值表、邏輯圖、邏輯表達(dá)式、卡諾圖;20;3TTL 、 CMOS ;4兩、0 ;510 、4 ;620 、50S;7通用陣列邏輯、輸出邏輯宏單元、E2CMOS;二、根據(jù)要求作題:(共 16 分)12三、四、(1)表達(dá)式(2)真值表(3)邏輯功能為:全減器五、首先,根據(jù)電路邏輯描述畫出卡諾圖:(1)最簡“與或式”為:;(2)“與非與非式”為:(與非門實(shí)現(xiàn)圖略)六、(1) 多諧振蕩器;(2) 驅(qū)動方程:狀態(tài)方程:狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖:(3)初態(tài)為 000,五個(gè)周期后將保持在 100 狀態(tài)。七、(1)狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖:(2)可以自啟動;(3)模8;

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