數(shù)字電路基礎(chǔ)課件-數(shù)字教案(第7章).ppt

第七章 半導體存儲器,第七章 半導體存儲器,7.1 概述 能存儲大量二值信息的器件 一、一般結(jié)構(gòu)形式,！單元數(shù)龐大 ！輸入/輸出引腳數(shù)目有限,二、分類 1、從存/取功能分： 只讀存儲器 (Read-Only-Memory） 隨機讀/寫 （Random-Access-Memory） 2、從工藝分： 雙極型 MOS型,7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、結(jié)構(gòu),二、舉例,D0 Dm,兩個概念： 存儲矩陣的每個交叉點是一個“存儲單元”，存儲單元中有器件存入“1”，無器件存入“0” 存儲器的容量：“字數(shù) x 位數(shù)”=2nxm,掩模ROM的特點： 出廠時已經(jīng)固定，不能更改，適合大量生產(chǎn) 簡單，便宜，非易失性,7.2.2 可編程ROM（PROM）,總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲單元不同,寫入時，要使用編程器,7.2.3 可擦除的可編程ROM（EPROM）,總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲單元不同 一、用紫外線擦除的PROM（UVEPROM）,二、電可擦除的可編程ROM（E2PROM） 總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲單元不同,三、快閃存儲器（Flash Memory） 為提高集成度，省去T2（選通管） 改用疊柵MOS管（類似SIMOS管）,7.3 隨機存儲器RAM,7.3.1 靜態(tài)隨機存儲器（SRAM） 一、結(jié)構(gòu)與工作原理,二、SRAM的存儲單元,六管N溝道增強型MOS管,7.3.2* 動態(tài)隨機存儲器（DRAM） 動態(tài)存儲單元是利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理,7.4 存儲器容量的擴展,7.4.1 位擴展方式 適用于每片RAM,ROM字數(shù)夠用而位數(shù)不夠時 接法：將各片的地址線、讀寫線、片選線并聯(lián)即可,例：用八片1024 x 1位 1024 x 8位的RAM,7.4.2 字擴展方式,適用于每片RAM,ROM位數(shù)夠用而字數(shù)不夠時,例：用四片256 x 8位1024 x 8位 RAM,7.5 用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù),一、基本原理 從ROM的數(shù)據(jù)表可見： 若以地址線為輸入變量，則數(shù)據(jù)線即為一組關(guān)于地址變量的邏輯函數(shù),二、舉例,ROM、RAM特點區(qū)別 容量、容量擴展（字擴展、位擴展、字位同時擴展）， 位擴展還要寫出每一片RAM的地址范圍 利用存儲器實現(xiàn)邏輯函數(shù),作業(yè)：1、2、3、5、6、7、8、11、14,