2022年高考物理二輪復(fù)習(xí) 特色專題訓(xùn)練 仿高考選擇題巧練（二）

2022年高考物理二輪復(fù)習(xí) 特色專題訓(xùn)練 仿高考選擇題巧練（二）一、單項(xiàng)選擇題14在物理學(xué)的發(fā)展過(guò)程中，許多物理學(xué)家都做出了重要的貢獻(xiàn)，他們也創(chuàng)造出了許多的物理學(xué)研究方法，下列關(guān)于物理學(xué)研究方法的敘述中正確的是()A理想化模型是把實(shí)際問(wèn)題理想化，略去次要因素，突出主要因素，例如質(zhì)點(diǎn)、位移等是理想化模型B重心、合力等概念的建立都體現(xiàn)了等效替代的思想C用比值法定義的物理概念在物理學(xué)中占有相當(dāng)大的比例，例如場(chǎng)強(qiáng)E，電容C，加速度a都是采用比值法定義的D根據(jù)速度定義式v，當(dāng)t非常小時(shí)， 就可以表示物體在t時(shí)刻的瞬時(shí)速度，該定義應(yīng)用了類比的思想方法15.如圖，一個(gè)人站在水平地面上的長(zhǎng)木板上用力F向右推箱子，木板、人、箱子均處于靜止?fàn)顟B(tài)，三者的質(zhì)量均為m，重力加速度為g，則()A箱子受到的摩擦力方向向右B地面對(duì)木板的摩擦力方向向左C木板對(duì)地面的壓力大小為3mgD若人用斜向下的力推箱子，則木板對(duì)地面的壓力會(huì)大于3mg16.(xx·臺(tái)州模擬)如圖所示，在一個(gè)點(diǎn)電荷形成的電場(chǎng)中，M、N、L是三個(gè)間距相等的等勢(shì)面一重力不計(jì)的帶電粒子從p點(diǎn)無(wú)初速釋放后，沿圖中直線依次經(jīng)過(guò)q、k兩點(diǎn)，且p、q、k三點(diǎn)是帶電粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡與等勢(shì)面的交點(diǎn)設(shè)帶電粒子從p點(diǎn)到q點(diǎn)電場(chǎng)力做功Wpq，從q點(diǎn)到k點(diǎn)電場(chǎng)力做功Wqk，則()AWpqWqkBWpqWqkC粒子從p點(diǎn)到q點(diǎn)做勻加速直線運(yùn)動(dòng)D粒子從p點(diǎn)到q點(diǎn)其電勢(shì)能逐漸減小17.如圖所示，寬為2L且上、下邊界都水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的正上方有一個(gè)高為L(zhǎng)的閉合矩形線框由靜止從某高度釋放，線框豎直下落過(guò)程中，下邊始終保持水平，磁感應(yīng)強(qiáng)度方向垂直線框平面向里，線框第一次從某高度由靜止下落后，恰好勻速進(jìn)入磁場(chǎng)，第二次調(diào)整下落高度后，線框恰好勻速穿過(guò)磁場(chǎng)下邊界，用I1、I2分別表示第一次、第二次在整個(gè)進(jìn)出磁場(chǎng)區(qū)域的過(guò)程中線框的感應(yīng)電流，則下列反映線框的感應(yīng)電流隨位移變化的圖象中可能正確的是()二、不定項(xiàng)選擇題18.如圖所示，斜面傾角為，位于斜面底端A正上方的小球以初速度v0正對(duì)斜面頂點(diǎn)B水平拋出，小球到達(dá)斜面經(jīng)過(guò)的時(shí)間為t，重力加速度為g，則下列說(shuō)法中正確的是()A若小球以最小位移到達(dá)斜面，則tB若小球垂直擊中斜面，則tC若小球能擊中斜面中點(diǎn)，則tD無(wú)論小球怎樣到達(dá)斜面，運(yùn)動(dòng)時(shí)間均為t19.如圖所示，坐標(biāo)原點(diǎn)O處有一粒子源，能沿紙面向各個(gè)方向(y>0)發(fā)射速率v相同的粒子，在x軸上方的空間存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，不計(jì)粒子所受重力及粒子間的相互作用，圖中曲線OMN表示粒子運(yùn)動(dòng)的區(qū)域邊界，OMONL，則()A粒子帶負(fù)電，其比荷為B當(dāng)粒子沿x軸負(fù)方向射入磁場(chǎng)時(shí)，其運(yùn)動(dòng)軌跡即為曲線OMNC當(dāng)粒子射入磁場(chǎng)的速度方向與x軸正方向的夾角為30°時(shí)，粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間為D當(dāng)粒子沿y軸正方向射入磁場(chǎng)時(shí)，其一定會(huì)經(jīng)過(guò)ON的中點(diǎn)20.如圖所示，一金屬棒AC在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中繞平行于磁感應(yīng)強(qiáng)度方向的軸(過(guò)O點(diǎn))勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，OA2OC2L，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里，金屬棒轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度為、電阻為r，內(nèi)、外兩金屬圓環(huán)分別與C、A良好接觸并各引出一接線柱與外電阻R相接(沒(méi)畫(huà)出)，兩金屬圓環(huán)圓心皆為O且電阻均不計(jì)，則()A金屬棒中有從A到C的感應(yīng)電流B外電阻R中的電流IC當(dāng)rR時(shí)，外電阻消耗功率最小D金屬棒AC間電壓為仿高考選擇題巧練(二)14解析：選B.位移不是理想化模型，A項(xiàng)錯(cuò)；a表示加速度a與物體所受合外力成正比，與質(zhì)量成反比，并非采用比值法定義的，C項(xiàng)錯(cuò)；瞬時(shí)速度的定義利用到了極限思維法，D項(xiàng)錯(cuò)15解析：選C.人用力F向右推箱子，箱子受到的摩擦力方向向左，選項(xiàng)A錯(cuò)誤；把木板、人、箱子看做整體，人對(duì)箱子的作用力為內(nèi)力，整體水平方向所受合外力為零，地面對(duì)木板的摩擦力為零，選項(xiàng)B錯(cuò)誤；整體豎直方向所受合外力為零，由平衡條件可知，地面對(duì)木板支持力大小為3mg，由牛頓第三定律可知，木板對(duì)地面的壓力大小為3mg，選項(xiàng)C正確，D錯(cuò)誤. 16解析：選D.離點(diǎn)電荷越近，等差等勢(shì)面分布越密集，即離點(diǎn)電荷越近的地方間距相等的等勢(shì)面間的電勢(shì)差越大，則有UpqUqk，由WqU得WpqWqk，選項(xiàng)A、B錯(cuò)誤；粒子從靜止開(kāi)始運(yùn)動(dòng)，電場(chǎng)力做正功，電勢(shì)能逐漸減小，選項(xiàng)D正確；從p點(diǎn)到q點(diǎn)電場(chǎng)力逐漸減小，則加速度逐漸減小，選項(xiàng)C錯(cuò)誤17解析：選A.線框第一次進(jìn)入磁場(chǎng)先做勻速運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生恒定電流，完全進(jìn)入磁場(chǎng)后做加速度為g的勻加速運(yùn)動(dòng)，線框中無(wú)感應(yīng)電流，而出磁場(chǎng)時(shí)，做減速運(yùn)動(dòng)，線框中產(chǎn)生逐漸減小的感應(yīng)電流，但剛出磁場(chǎng)時(shí)速度不小于進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度，即x3L時(shí)，感應(yīng)電流不小于I0，A對(duì)，B錯(cuò)；線框第二次出磁場(chǎng)時(shí)做勻速運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生恒定電流，因線框在完全進(jìn)入磁場(chǎng)后有一段勻加速運(yùn)動(dòng)過(guò)程，所以線框在進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中將一直做加速運(yùn)動(dòng)且感應(yīng)電流一定小于I0，C、D錯(cuò)18解析：選AB.小球以最小位移到達(dá)斜面時(shí)，位移與水平方向的夾角為，則tan，即t，A對(duì)，D錯(cuò)；小球垂直擊中斜面時(shí)，速度與水平方向夾角為，則tan，即t，B對(duì)；小球擊中斜面中點(diǎn)時(shí)，令斜面長(zhǎng)為2L，則水平射程為L(zhǎng)cos v0t，下落高度為L(zhǎng)sin gt2，聯(lián)立兩式得t，C錯(cuò)19解析：選AC.由左手定則知粒子帶負(fù)電，由題圖知粒子軌道半徑為L(zhǎng)，而B(niǎo)qvm，所以，A對(duì)；當(dāng)粒子沿x軸負(fù)方向射入磁場(chǎng)時(shí)，粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡是一完整的圓周，B錯(cuò)；當(dāng)粒子射入磁場(chǎng)的速度方向與x軸正方向的夾角為30°時(shí)，粒子運(yùn)動(dòng)所對(duì)圓心角為60°，粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t，C對(duì)；因ONL，粒子運(yùn)動(dòng)半徑為L(zhǎng)，當(dāng)粒子沿y軸正方向射入磁場(chǎng)時(shí)，ON恰好為粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的直徑，粒子一定會(huì)經(jīng)過(guò)N點(diǎn)，D錯(cuò)20解析：選BD.由右手定則可知金屬棒相當(dāng)于電源且A是電源的正極，即金屬棒中有從C到A的感應(yīng)電流，A錯(cuò)；金屬棒轉(zhuǎn)動(dòng)產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為EB(2L)2BL2，即回路中電流I，B對(duì)；由電源輸出功率特點(diǎn)知，當(dāng)內(nèi)、外電阻相等時(shí)，外電路消耗功率最大，C錯(cuò)；UACIR，D對(duì)