《高中化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 第七單元 第34講 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《高中化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 第七單元 第34講 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件（49頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。
1、第 34講 晶 體 結(jié) 構(gòu) 與 性 質(zhì) 考 綱 導(dǎo) 視 考 綱 定 位1.了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。2.了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。3.理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。4.理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。了解金屬晶體常見(jiàn)的堆積方式。了解晶格能的概念及其對(duì)離子晶體性質(zhì)的影響。5.能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。 基 礎(chǔ) 反 饋 正誤判斷，正確的畫(huà)“”，錯(cuò)誤的畫(huà)“”。(1)離子晶體中每個(gè)離子周圍均吸引著 6 個(gè)帶相反電荷的離子( )。)。(2)分
2、子晶體的熔沸點(diǎn)很低，常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)(3)原子晶體中的各相鄰原子都以共價(jià)鍵相結(jié)合( )。(4)金屬導(dǎo)電的原因是在外電場(chǎng)作用下金屬產(chǎn)生自由電子，電子定向運(yùn)動(dòng)( )。(5)金屬晶體和離子晶體中分別存在金屬鍵和離子鍵等強(qiáng)烈的相互作用，很難斷裂，因而都具有延展性( )。 (6)氮化碳( )屬于原子晶體，其化學(xué)式為C3N4( )。(7)在CaF2 晶體( )中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Ca2( )。 )中，碳原子與碳碳鍵(8)在金剛石晶體(個(gè)數(shù)的比為 1 2( )。(9)金屬晶體的熔點(diǎn)不一定比分子晶體的高( )。(10)同族元素的氧化物不可能形成不同類型的晶體( )。答 案 ： (1)(2)(3) (4
3、)(5)(6) (7)(8) (9) (10) 物質(zhì)晶體非晶體結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)微粒在三維空間里呈周期性_序排列結(jié)構(gòu)微粒 _ 序排列性質(zhì)特征自范性_ _熔點(diǎn)_ _異同表現(xiàn)各向異性無(wú)各向異性區(qū)別方法熔點(diǎn)法有固定熔點(diǎn)無(wú)固定熔點(diǎn)X-射線對(duì)固體進(jìn)行 X-射線衍射實(shí)驗(yàn)考 點(diǎn) 一 晶 體 和 晶 胞 【 知 識(shí) 梳 理 】1晶體與非晶體。有無(wú)有無(wú)固定不固定 2.晶胞。(1)晶胞：是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。(2)晶體與晶胞的關(guān)系：整個(gè)晶體可以看作由數(shù)量巨大的晶胞“_”而成，晶胞是晶體結(jié)構(gòu)中的基本重復(fù)單元，晶胞的結(jié)構(gòu)可以反映晶體的結(jié)構(gòu)。(3)晶胞中粒子數(shù)目的計(jì)算均攤法：如某個(gè)粒子為 n 個(gè)1n晶胞所共有，則該粒子有
4、_屬于這個(gè)晶胞。無(wú)隙并置 3晶格能。kJmol1大小穩(wěn)定高大(1)定義：氣態(tài)離子形成 1 mol 離子晶體釋放的能量，通常取正值，單位：_。(2)影響因素：離子所帶電荷數(shù)：離子所帶電荷數(shù)越多，晶格能越_。離子的半徑：離子的半徑越_，晶格能越大。與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系：晶格能越大，形成的離子晶體越_，且熔點(diǎn)越_，硬度越_。 【 考 點(diǎn) 集 訓(xùn) 】例 1(1)(2014 年 新 課 標(biāo) 卷) Cu2O 為半導(dǎo)體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有 4 個(gè)氧原子，其余氧原子位于面心和頂點(diǎn)，則該晶胞中有_個(gè)銅原子。Al 單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參數(shù) a0.405 nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為_(kāi)。列式表示 Al 單
5、質(zhì)的密度(2)(2014 年 江 蘇 卷 )Cu 2O 在稀硫酸中生成 Cu 和 CuSO4。銅晶胞結(jié)構(gòu)如上圖所示，銅晶體中每個(gè)銅原子周圍距離最近的銅原子數(shù)目為_(kāi)。_ gcm3(不必計(jì)算出結(jié)果)。 (3)(2013 年 江 蘇 卷 )Zn與S所形成化合物晶體的晶胞如圖所示。在 1 個(gè)晶胞中，Zn 離子的數(shù)目為_(kāi)。該化合物的化學(xué)式為_(kāi)。(4)(2013年 四 川 卷 )Al 2O3 在 一定條件下可制得AlN，AlN的晶體結(jié)構(gòu)如上圖所示，該晶體中 Al 的配位數(shù)是_。 (5)(2013 年 新 課 標(biāo) 卷)F、 K 和 Ni 三種元素組成的一個(gè)化合物的晶胞如右下圖所示。該化合物的化學(xué)式為_(kāi)，Ni
6、 的配位數(shù)為_(kāi)；列式計(jì)算該晶體的密度_gcm 3。 面 心 上 的 原 子 被 兩 個(gè) 晶 胞 共 用 ， 所 以 Cu原 子 數(shù) 為 3 8 12。(3)從 晶 胞 圖 分 析 ， 含 有 Zn離 子 為 8 6 4。 S為 4個(gè) ，(2)選 擇 一 個(gè) 頂 點(diǎn) 作 中 心 原 子 ， 此 晶 胞 中 與 此 頂 點(diǎn) 最 近 的 Cu 原子 為 3 個(gè) 面 心 上 的 Cu 原 子 ， 此 頂 點(diǎn) 周 圍 共 有 8 個(gè) 晶 胞 ， 每 個(gè)121 18 2所 以 化 合 物 中 Zn 與 S 個(gè) 數(shù) 之 比 為 1 1， 則 化 學(xué) 式 為 ZnS。(4)以 圖 中 居 于 晶 胞 體 心
7、位 置 的 鋁 原 子 為 例 ， 距 離 該 原 子 最 近 且相 等 的 氮 原 子 有 4 個(gè) 。 (5) 在 該 化 合 物 中 F 原 子 位 于 棱 、 面 心 方 法 技 巧 晶 胞 組 成 的 計(jì) 算 規(guī) 律(1) 形 的 貢 獻(xiàn) 為 ， 那 么 每 一 個(gè) 六 邊 形 實(shí) 際 有 6 2個(gè) 碳 原 子 。(2)非 平 行 六 面 體 形 晶 胞 中 粒 子 數(shù) 目 的 計(jì) 算 同 樣 可 用 均 攤法 ， 其 關(guān) 鍵 仍 然 是 確 定 一 個(gè) 粒 子 為 幾 個(gè) 晶 胞 所 共 有 。 例 如 ， 石墨 晶 胞 每 一 層 內(nèi) 碳 原 子 排 成 六 邊 形 ， 其 頂 點(diǎn)
8、 1 個(gè) 碳 原 子 對(duì) 六 邊1 13 3 例 2用晶體的 X-射線衍射法可以測(cè)得阿伏加德羅常數(shù)。對(duì)金屬銅的測(cè)定得到以下結(jié)果：晶胞為面心立方最密堆積，邊_cm3，晶胞的質(zhì)量是_g，阿伏加德羅常數(shù)為_(kāi)列式計(jì)算，已知 Ar(Cu)63.6。長(zhǎng)為361 pm。又知銅的密度為9.00 gcm3，則銅晶胞的體積是 例 3元素X的某價(jià)態(tài)離子X(jué)n中所有電子正好充滿 K、L、M 三個(gè)電子層，它與 N3形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。(1)該晶體的陽(yáng)離子與陰離子個(gè)數(shù)比為_(kāi)。(2)該晶體中X n中n_。(3)X元素的原子序數(shù)是_。(4)晶體中每個(gè)N3被_個(gè)等距離的Xn包圍。 答 案 ： (1)3 1 (2)1 (3)2
9、9 (4)6 方 法 技 巧 晶體類型分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成粒子_ _金屬陽(yáng)離子、自由電子_粒子間的相互作用力_ _ _ _硬度較小很大有的很大，有的很小較大熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高，有的很低較高考 點(diǎn) 二 晶 體 類 型 的 結(jié) 構(gòu) 和 性 質(zhì)【 知 識(shí) 梳 理 】1四種晶體的比較。分子原子陰、陽(yáng)離子分子間作用力共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵 晶體類型分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體溶解性相似相溶難溶于任何溶劑難 溶 于 常見(jiàn)溶劑大多易溶于水等極性溶劑導(dǎo)電、傳熱性一般不導(dǎo)電，溶于水后有的導(dǎo)電一般不具有導(dǎo)電性電 和 熱 的良導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電，水溶液或熔融狀態(tài)下導(dǎo)電物質(zhì)類別及實(shí)例大 多 數(shù) 非
10、金 屬單質(zhì)、氣態(tài)氫化物、酸、非金屬氧化物(SiO2 除外)、絕大多數(shù)有機(jī)物(有機(jī)鹽除外)部分非金屬單質(zhì)(如金剛石、硅、晶體硼)，部分非金屬化合物(如SiC、SiO 2)金屬單質(zhì)與合金(如Na、Al、Fe、青銅)金屬氧化物( 如 K2O 、Na2O) 、 強(qiáng) 堿( 如 KOH 、NaOH) 、絕大部 分 鹽 ( 如NaCl) （ 續(xù) 表 ） 2.晶體熔、沸點(diǎn)的比較。原子晶體離子晶體(1)不同類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較。分子晶體不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低的一般規(guī)律：_。小短大強(qiáng)金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔、沸點(diǎn)很高，汞、銫等熔、沸點(diǎn)很低。高 (2)同種晶體類型熔、沸點(diǎn)的比較。原子晶體：(
11、比較共價(jià)鍵) 原子半徑越_鍵長(zhǎng)越_鍵能越_共價(jià)鍵越_熔、沸點(diǎn)越_。如熔點(diǎn)：金剛石_碳化硅_晶體硅。 多小大高 大離子晶體：(比較離子鍵強(qiáng)弱或晶格能大小)一般地說(shuō)，陰、陽(yáng)離子的電荷數(shù)越_，離子半徑越_，則離子間的作用力就越_，其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越_，如熔點(diǎn)：MgO_MgCl2_NaCl_CsCl；衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是晶格能。晶格能越_，形成的離子晶體越_，熔點(diǎn)越_，硬度越_。穩(wěn)定高大 大高高 大高 分子晶體：(比較分子間作用力)分子間作用力越_，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越_；具有氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常地_ 。如 H2O_H2Te_H2Se_H2S ；組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越
12、_ ，熔、沸點(diǎn)越_，如 SnH4_GeH4_SiH4_CH4；組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量接近)，分子的極性越大，其熔、沸點(diǎn)越高，如 CON 2，CH3OHCH3CH3；同分異構(gòu)體，支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。如 CH3CH2CH2CH2CH3 金屬晶體：金屬離子半徑越小，離子電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬熔、沸點(diǎn)就越高，如熔、沸點(diǎn)：NaMgAl。 晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解原子晶體金剛石(1)每個(gè)碳與相鄰 4 個(gè)碳以共價(jià)鍵結(jié)合，形成正四面體結(jié)構(gòu)(2)鍵角均為 10928(3)最小碳環(huán)由_個(gè) C 組成且 6 原子不在同一平面內(nèi)(4)每個(gè) C 參與 4 個(gè) CC 鍵的形成，C 原子數(shù)與 CC 鍵數(shù)
13、之比為_(kāi)SiO 2 (1)每個(gè) Si 與 4 個(gè) O 以共價(jià)鍵結(jié)合，形成正四面體結(jié)構(gòu)(2) 每 個(gè)正四面體占有 1 個(gè) Si ， 4 個(gè) O ，n(Si) n(O)1 2(3)最小環(huán)上有_個(gè)原子，即 6 個(gè) O,6 個(gè) Si 3典型晶體模型。6 1 212 (續(xù) 表 ) 6 12 86晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解離子晶體NaCl型(1)每個(gè)Na(Cl)周圍等距且緊鄰的Cl(Na)有_個(gè)。每個(gè)Na周圍等距且緊鄰的Na有_個(gè) (2)每個(gè)晶胞中含4個(gè)Na和4個(gè)ClCsCl型(1)每個(gè)Cs周圍等距且緊鄰的Cl有_個(gè)，每個(gè)Cs (Cl)周圍等距且緊鄰的Cs(Cl)有_個(gè) (2)如圖為8個(gè)晶胞，每個(gè)晶胞中含1個(gè)C
14、s、1個(gè)Cl (續(xù) 表 ) 12 6晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解分子晶體干冰(1)8個(gè)CO2分子構(gòu)成立方體且在6個(gè)面心又各占據(jù)1個(gè)CO2分子(2)每個(gè)CO2分子周圍等距緊鄰的CO2分子有_個(gè) 金屬晶體簡(jiǎn)單立方堆積典型代表Po，配位數(shù)為_(kāi)，空間利用率52% 晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解金屬晶體面心立方最密堆積又稱為 A1 型或銅型，典型代表Cu、Ag、Au，配位數(shù)為_(kāi)，空間利用率 74%體心立方堆積又稱為 A2 型或鉀型，典型代表Na、K、Fe，配位數(shù)為_(kāi)，空間利用率 68%六方最密堆積又稱為 A 3 型或鎂型，典型代表Mg、Zn、Ti，配位數(shù)為_(kāi)，空間利用率 74% (續(xù) 表 ) 12812 晶體熔點(diǎn)/硬度水
15、溶性導(dǎo)電性水溶液與Ag+ 反應(yīng)A 811較大易溶水溶液或熔融導(dǎo)電白色沉淀B 3500很大不溶不導(dǎo)電不反應(yīng)C114.2很小易溶液態(tài)不導(dǎo)電白色沉淀【 考 點(diǎn) 集 訓(xùn) 】例 4有 A、B、C 三種晶體，分別由 H、C、Na、Cl 四種元素中的一種或幾種組成，對(duì)這三種晶體進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，結(jié)果如下表： (1)晶體的化學(xué)式分別為 A_、B_、C_。(2)晶體的類型分別是 A_、B_、C_。(3)晶體中微粒間作用力分別是 A_、B_、C_。解 析 ： 根 據(jù) A、 B、 C 所 述 晶 體 的 性 質(zhì) 可 知 ， A 為 離 子 晶 體 ，只 能 為 NaCl， 微 粒 間 的 作 用 力 為 離 子 鍵 ； B
16、 應(yīng) 為 原 子 晶 體 ， 只能 為 金 剛 石 ， 微 粒 間 的 作 用 力 為 共 價(jià) 鍵 ； C 應(yīng) 為 分 子 晶 體 ， 且易 溶 ， 只 能 為 HCl， 微 粒 間 的 作 用 力 為 范 德 華 力 。答 案 ： (1)NaCl C HCl(2)離子晶體原子晶體分子晶體(3)離子鍵共價(jià)鍵范德華力 方 法 技 巧 晶 體 類 型 的 判 斷 方 法(1)依 據(jù) 構(gòu) 成 晶 體 的 微 粒 和 微 粒 間 的 作 用 判 斷 ： 離 子 晶 體 的構(gòu) 成 微 粒 是 陰 、 陽(yáng) 離 子 ， 微 粒 間 的 作 用 力 是 離 子 鍵 ； 原 子 晶 體的 構(gòu) 成 微 粒 是 原
17、 子 ， 微 粒 間 的 作 用 力 是 共 價(jià) 鍵 ； 分 子 晶 體 的 構(gòu)成 微 粒 是 分 子 ， 微 粒 間 的 作 用 力 為 范 德 華 力 或 氫 鍵 ； 金 屬 晶 體的 構(gòu) 成 微 粒 是 金 屬 陽(yáng) 離 子 和 自 由 電 子 ， 微 粒 間 的 作 用 力 是 金 屬鍵 。 (2)依 據(jù) 物 質(zhì) 的 類 別 判 斷 ： 金 屬 氧 化 物 (如 K2O、 Na2O2 等 )、強(qiáng) 堿 (NaOH、 KOH 等 )和 絕 大 多 數(shù) 鹽 類 是 離 子 晶 體 ； 大 多 數(shù) 非金 屬 單 質(zhì) (除 金 剛 石 、 石 墨 、 晶 體 硅 等 )、 非 金 屬 氫 化 物
18、、 非 金屬 氧 化 物 (除 SiO2 外 )、 幾 乎 所 有 的 酸 、 絕 大 多 數(shù) 有 機(jī) 物 (除 有 機(jī)鹽 外 )是 分 子 晶 體 ； 常 見(jiàn) 的 單 質(zhì) 類 原 子 晶 體 有 金 剛 石 、 晶 體 硅 、晶 體 硼 等 ， 常 見(jiàn) 的 化 合 類 原 子 晶 體 有 碳 化 硅 、 二 氧 化 硅 等 ； 金屬 單 質(zhì) 、 合 金 是 金 屬 晶 體 。(3)依 據(jù) 晶 體 的 熔 點(diǎn) 判 斷 ： 離 子 晶 體 的 熔 點(diǎn) 較 高 ； 原 子 晶 體熔 點(diǎn) 高 ； 分 子 晶 體 熔 點(diǎn) 低 ； 金 屬 晶 體 多 數(shù) 熔 點(diǎn) 高 ， 但 也 有 相 當(dāng)?shù)?的 。 (
19、4)依 據(jù) 導(dǎo) 電 性 判 斷 ： 離 子 晶 體 溶 于 水 及 熔 融 狀 態(tài) 時(shí) 能 導(dǎo)電 ； 原 子 晶 體 一 般 為 非 導(dǎo) 體 ； 分 子 晶 體 為 非 導(dǎo) 體 ， 而 分 子 晶 體中 的 電 解 質(zhì) (主 要 是 酸 和 強(qiáng) 極 性 非 金 屬 氫 化 物 )溶 于 水 ， 使 分 子內(nèi) 的 化 學(xué) 鍵 斷 裂 形 成 自 由 移 動(dòng) 的 離 子 ， 也 能 導(dǎo) 電 ； 金 屬 晶 體 是電 的 良 導(dǎo) 體 。(5)依 據(jù) 硬 度 和 機(jī) 械 性 能 判 斷 ： 離 子 晶 體 硬 度 較 大 或 硬 而脆 ； 原 子 晶 體 硬 度 大 ； 分 子 晶 體 硬 度 小 且
20、 較 脆 ； 金 屬 晶 體 多 數(shù)硬 度 大 ， 但 也 有 較 低 的 ， 且 具 有 延 展 性 。 例 5 C 和 Si 元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。(1)寫(xiě)出 Si 的基態(tài)原子核外電子排布式_。從電負(fù)性角度分析，C、Si 和 O 元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)開(kāi)。(2)SiC 的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中 C 原子的雜化方式為_(kāi)，微粒間存在的作用力是_。SiC 晶體和晶體 Si 的熔沸點(diǎn)高低順序是_。(3) 氧 化 物 MO 的 電 子 總 數(shù) 與 SiC 的 相 等 ， 則 M 為_(kāi)(填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似 。 MO 的 熔點(diǎn)比
21、CaO的高 ， 其原因是_。Na、M、Ca 三種晶體共同的物理性質(zhì)是_(填序號(hào))。 有金屬光澤；導(dǎo)電性；導(dǎo)熱性；延展性。(4)C、Si 為同一主族的元素，CO2 和 SiO2 的化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大的不同。CO2 中C與O原子間形成鍵和鍵，SiO2 中 Si 與 O 原子間不形成上述鍵。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成上述鍵，而Si、O原子間不能形成上述鍵：_，SiO2 屬于_晶體，CO 2 屬于_晶體，所以熔點(diǎn) CO2_SiO2(填“”“”或“”)。 (5)金剛石、晶體硅、二氧化硅、MO、CO2、M 六種晶體的構(gòu)成微粒分別是_，熔化時(shí)克服的微粒間的作用力分別是_。
22、解 析 ： (1)C、 Si和 O的 電 負(fù) 性 大 小 順 序 為 ： O C Si。 (2)晶體 硅 中 一 個(gè) 硅 原 子 周 圍 與 4個(gè) 硅 原 子 相 連 ， 呈 正 四 面 體 結(jié) 構(gòu) ， 所以 雜 化 方 式 是 sp3， 因 為 SiC的 鍵 長(zhǎng) 小 于 SiSi， 所 以 熔 點(diǎn) ： 碳化 硅 晶 體 硅 。 (3)SiC電 子 總 數(shù) 是 20， 則 該 氧 化 物 為 MgO； 晶 格能 與 所 組 成 離 子 所 帶 電 荷 成 正 比 ,與 離 子 半 徑 成 反 比 , MgO與 CaO的 離 子 電 荷 數(shù) 相 同 ， Mg 2 半 徑 比 Ca2 小 ， Mg
23、O晶 格 能 大 ， 熔 點(diǎn)高 。 Na、 Mg、 Ca三 種 晶 體 均 為 金 屬 晶 體 ， 金 屬 晶 體 都 有 金 屬 光 澤 ， 都 能 導(dǎo) 電 、 導(dǎo) 熱 ， 都 具 有 一 定 的 延 展 性 。 (4)Si的原 子 半 徑 較 大 ， Si、 O原 子 間 距 離 較 大 ， p p軌 道 肩 并 肩 重 疊 程度 較 小 ， 不 能 形 成 上 述 穩(wěn) 定 的 鍵 ， SiO2為 原 子 晶 體 ， CO2為 分 子晶 體 ， 所 以 熔 點(diǎn) SiO2 CO2。 (5)金 剛 石 、 晶 體 硅 、 二 氧 化 硅 均 為原 子 晶 體 ， 構(gòu) 成 微 粒 為 原 子 ，
24、 熔 化 時(shí) 破 壞 共 價(jià) 鍵 ； Mg為 金 屬 晶體 ， 由 金 屬 陽(yáng) 離 子 和 自 由 電 子 構(gòu) 成 ， 熔 化 時(shí) 克 服 金 屬 鍵 ， CO2為分 子 晶 體 ， 由 分 子 構(gòu) 成 ， CO2分 子 間 以 分 子 間 作 用 力 結(jié) 合 ； MgO為 離 子 晶 體 ， 由 Mg 2 和 O2 構(gòu) 成 ， 熔 化 時(shí) 破 壞 離 子 鍵 。 (4)Si 的原子半徑較大，Si、O 原子間距離較大，pp 軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的鍵原子分子(5)原子、原子、原子、陰陽(yáng)離子、分子、金屬陽(yáng)離子與自共價(jià)鍵、共價(jià)鍵、共價(jià)鍵、離子鍵、分子間作用力、由電子金屬鍵答 案
25、： (1)1s22s22p63s23p2OCSi(2)sp3共價(jià)鍵SiCSi(3)MgMg2半徑比Ca2小，MgO晶格能大 例 6 (1)分析下列物質(zhì)的物理性質(zhì)，判斷其晶體類型：碳化鋁，黃色晶體，熔點(diǎn) 2200 ，熔融態(tài)不導(dǎo)電_；溴化鋁，無(wú)色晶體，熔點(diǎn) 98 ，熔融態(tài)不導(dǎo)電_；五氟化釩，無(wú)色晶體，熔點(diǎn) 19.5 ，易溶于乙醇、氯仿、丙酮中_；溴化鉀，無(wú)色晶體，熔融或溶于水中都能導(dǎo)電_。 (2)金屬鐵的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式，晶胞分別如圖所示。面心立方晶胞和體心立方晶胞中實(shí)際含有的鐵原子個(gè)數(shù)之比為_(kāi)。面心立方體心立方解 析 ： (1)將 晶 體 的 熔 點(diǎn) 高 低 、 熔 融 態(tài) 能 否
26、 導(dǎo) 電 及 溶 解 性 等性 質(zhì) 相 結(jié) 合 是 判 斷 晶 體 類 型 的 重 要 依 據(jù) 。 原 子 晶 體 和 離 子 晶 體的 熔 點(diǎn) 都 很 高 或 較 高 ， 兩 者 最 大 的 差 異 是 熔 融 態(tài) 的 導(dǎo) 電 性 不 同 。 答 案 ： (1) 原子晶體分子晶體分子晶體離子晶體(2)2 1 例 7(2016年 四 川 成 都 月 考 )A、 B、 C、 D 是元素周期表中前 36 號(hào)元素，它們的核電荷數(shù)依次增大。第二周期元素 A 原子的核外成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的 2 倍且有 3 個(gè)能級(jí)，B原子的最外層 p 軌道的電子為半充滿結(jié)構(gòu)，C 是地殼中含量最多的元素。D 是第四周
27、期元素，其原子核外最外層電子數(shù)與氫原子相同，其余各層電子均充滿。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：(1)A、B、C 的第一電離能由小到大的順序是_(用對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示)；D 原子的基態(tài)電子排布式為_(kāi)。 (2)A 的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物分子中，其中心原子采取_雜化；BC 的空間構(gòu)型為_(kāi)(用文字描述)。(3)1 mol AB中含有的鍵個(gè)數(shù)為_(kāi)。(4)如圖是金屬 Ca 和 D 所形成的某種合金的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，則該合金中 Ca 和 D 的原子個(gè)數(shù)比是_。 0.083gcm 3。(5)鑭鎳合金與上述合金都具有相同類型的晶胞結(jié)構(gòu) XYn，它們有很強(qiáng)的儲(chǔ)氫能力。已知鑭鎳合金LaNin 晶 胞 體 積 為9.010 2
28、3 cm3，儲(chǔ)氫后形成 LaNinH4.5 合金(氫進(jìn)入晶胞空隙，體積不變)，則 LaNin 中 n_(填數(shù)值)；氫在合金中的密度為_(kāi)。解 析 ： 根 據(jù) 題 中 已 知 信 息 ， 第 二 周 期 元 素 A 原 子 的 核 外 成對(duì) 電 子 數(shù) 是 未 成 對(duì) 電 子 數(shù) 的 2 倍 且 有 3 個(gè) 能 級(jí) 可 知 ， A為 碳 元素 ， B為 氮 元 素 ， C為 氧 元 素 ， D為 銅 元 素 。 鑭 鎳 合 金 儲(chǔ) 氫 后 ，1 mol 晶 體 中 氫 元 素 的 質(zhì) 量 為 4.5 g， 則 氫 在 合 金 中 的 密 度 為 答 案 ： (1)CON1s22s22p63s23p63d104s1或Ar3d104s1(2)sp2平面三角形(3)2NA或26.021023(4)1 5(5)50.083 gcm3
高中化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 第七單元 第34講 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件
