《扎維模擬cmos集成電路設(shè)計(jì)第三章習(xí)題.ppt》由會(huì)員分享,可在線閱讀,更多相關(guān)《扎維模擬cmos集成電路設(shè)計(jì)第三章習(xí)題.ppt(48頁(yè)珍藏版)》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。
1、Chapter3 習(xí)題,2020/8/15,2,3.1(1),2020/8/15,3,2020/8/15,4,(2)二極管連接的Pmos負(fù)載,沒(méi)有體效應(yīng).,2020/8/15,5,3.2(1),2020/8/15,6,(2)M1工作在線性區(qū)邊緣,滿足,2020/8/15,7,M2工作在線性區(qū)邊緣,滿足,2020/8/15,8,3.3,(1),2020/8/15,9,(2)M1工作在線性區(qū)邊緣,滿足,2020/8/15,10,2020/8/15,11,(3)M1工作在線性區(qū),2020/8/15,12,2020/8/15,13,3.12,2020/8/15,14,2020/8/15,15,3.14
2、,2020/8/15,16,2020/8/15,17,3.20,2020/8/15,18,2020/8/15,19,3.21,a. M2, M3構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu),可以等效為一個(gè)阻抗RD.不考慮體效應(yīng),2020/8/15,20,b. M1, M3都為二極管連接的MOS器件, 將M1等效為電阻RS, M3等效為電阻RD.,2020/8/15,21,c. M3等效電阻為,M1等效電阻為,2020/8/15,22,2020/8/15,23,3.23,M1臨界飽和時(shí),2020/8/15,24,2020/8/15,25,2020/8/15,26,c. 輸出電壓擺幅:,2020/8/15,27,d. 輸出電
3、壓擺幅:,輸入電壓擺幅:,X處電壓擺幅:,當(dāng)M1處于臨界飽和時(shí),輸出電壓為 , , 滿足 ,即M2處于飽和狀態(tài).Vin增加,Vout減小,VX減小,M1進(jìn)入線性區(qū),M2仍處于飽和區(qū),直到 ,即M1比M2先進(jìn)入線性區(qū).,2020/8/15,28,3.24 在圖所示電路中,a.假如 ,計(jì)算小信號(hào)增益.,b.假設(shè) ,計(jì)算使M1處于線性區(qū)邊緣的輸入電壓.并求出此時(shí)的小信號(hào)增益.,2020/8/15,29,2020/8/15,30,2020/8/15,31,b. M1工作在線性區(qū)邊緣,滿足,2020/8/15,32,2020/8/15,33,3.25,2020/8/15,34,下面,利用迭代法求Vout的值:,2020/8/15,35,2020/8/15,36,2020/8/15,37,2020/8/15,38,2020/8/15,39,2020/8/15,40,b. M1工作在線性區(qū)邊緣,滿足,假設(shè)M2工作在線性區(qū),此時(shí)有,2020/8/15,41,故M2工作在飽和區(qū).,2020/8/15,42,2020/8/15,43,c. M2工作在線性區(qū)邊緣,滿足,2020/8/15,44,2020/8/15,45,3.29,2020/8/15,46,2020/8/15,47,2020/8/15,48,